| 摘要 | 第5-7页 |
| SUMMARY | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 二维拓扑绝缘体 | 第11-17页 |
| 1.1.1 整数量子霍尔效应 | 第11-14页 |
| 1.1.2 量子自旋霍尔效应 | 第14-17页 |
| 1.2 三维拓扑绝缘体 | 第17-23页 |
| 1.2.1 第一代三维拓扑绝缘体 | 第17-18页 |
| 1.2.2 第二代三维拓扑绝缘体 | 第18-22页 |
| 1.2.3 非Bi基的三维拓扑绝缘体 | 第22-23页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体的性质 | 第23-28页 |
| 1.3.1 弱反局域化效应(Weak Antilocalization,WAL) | 第23-25页 |
| 1.3.2 Shubnikov-de Haas(SdH)振荡 | 第25-28页 |
| 第二章 材料制备和测量方法 | 第28-35页 |
| 2.1 样品的制备方法 | 第28-31页 |
| 2.2 材料表征 | 第31-33页 |
| 2.3 输运测量 | 第33-35页 |
| 第三章 拓扑绝缘体块体中面内霍尔效应的测量 | 第35-50页 |
| 3.1 研究背景 | 第35-38页 |
| 3.2 Sn掺杂Bi_(1.1)Sb_(0.9)Te_2S的成分和结构表征 | 第38-41页 |
| 3.3 Sn掺杂的Bi_(1.1)Sb_(0.9)Te_2S的电输运测量 | 第41-45页 |
| 3.4 单晶块体中的面内霍尔效应 | 第45-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 科研成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
