| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 AZO透明导电薄膜概述 | 第8-12页 |
| 1.2.1 AZO透明导电薄膜的结构 | 第9页 |
| 1.2.2 AZO透明导电薄膜的基本性质 | 第9-11页 |
| 1.2.3 AZO透明导电薄膜的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 高阻AZO薄膜研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 高阻AZO薄膜在微通道板中的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 高阻AZO薄膜国内外发展 | 第13-14页 |
| 1.3.3 当前研究中存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.4 AZO薄膜制备方法 | 第15-20页 |
| 1.4.1 磁控溅射法 | 第15-16页 |
| 1.4.2 溶胶-凝胶法 | 第16-17页 |
| 1.4.3 化学气相沉积法 | 第17页 |
| 1.4.4 原子层沉积法 | 第17-20页 |
| 1.5 本论文主要研究内容及意义 | 第20-21页 |
| 1.5.1 主要研究内容 | 第20页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第20-21页 |
| 第二章 高阻AZO薄膜材料的制备及测试表征 | 第21-34页 |
| 2.1 微通道板打拿极导电层技术要求 | 第21-22页 |
| 2.1.1 打拿极导电层电阻率计算 | 第21-22页 |
| 2.1.2 打拿极导电层厚度要求 | 第22页 |
| 2.2 导电层薄膜的制备 | 第22-28页 |
| 2.2.1 ALD工艺参数 | 第22-24页 |
| 2.2.2 参数设计 | 第24-25页 |
| 2.2.3 实验制备 | 第25-27页 |
| 2.2.4 退火处理 | 第27-28页 |
| 2.3 AZO薄膜形貌结构表征手段及其原理 | 第28-30页 |
| 2.3.1 薄膜形貌表征 | 第29页 |
| 2.3.2 薄膜相结构表征 | 第29-30页 |
| 2.3.3 薄膜成分表征 | 第30页 |
| 2.4 AZO薄膜电学性能测试 | 第30-33页 |
| 2.4.1 高阻测量仪样品夹具设计及系统搭建 | 第30-32页 |
| 2.4.2 薄膜方阻测量具体操作步骤 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 ALD工艺参数对制备AZO薄膜性能的影响研究 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 AZO薄膜形貌组分影响因素研究 | 第35-41页 |
| 3.2.1 Al_2O_3循环百分比对薄膜表面特性的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.2 Al_2O_3循环百分比对薄膜组成的影响 | 第36-39页 |
| 3.2.3 子循环系数对薄膜厚度的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.4 生长温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第40-41页 |
| 3.3 AZO薄膜包覆特性影响因素研究 | 第41-43页 |
| 3.3.1 前驱体脉冲时长对薄膜包覆程度的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 生长温度对薄膜包覆程度的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 AZO薄膜电阻特性影响因素研究 | 第43-46页 |
| 3.4.1 Al_2O_3循环百分比对薄膜方阻的影响 | 第43-44页 |
| 3.4.2 子循环系数对薄膜方阻的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 生长温度对薄膜方阻的影响 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 退火处理对AZO薄膜性能的影响研究 | 第47-54页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 退火处理对AZO薄膜表面特性影响研究 | 第47-49页 |
| 4.2.1 退火温度对薄膜表面粗糙度的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 退火时间对薄膜表面粗糙度的影响 | 第48-49页 |
| 4.3 退火处理对AZO薄膜晶相结构影响研究 | 第49-51页 |
| 4.4 退火处理对AZO薄膜电阻特性影响研究 | 第51-53页 |
| 4.4.1 退火温度对AZO薄膜方阻随电压稳定性的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.2 退火时间对AZO薄膜方阻随电压稳定性的影响 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60页 |
