| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 过渡金属二硫族化合物介绍 | 第14-18页 |
| 1.2.1 过渡金属二硫族化合物简介 | 第14-16页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫族化合物晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.3 过渡金属二硫族化合物电子结构 | 第17-18页 |
| 1.3 过渡金属二硫族化合物电子特性 | 第18-26页 |
| 1.3.1 间接带隙到直接带隙的转变 | 第18-19页 |
| 1.3.2 高对称点K能带劈裂 | 第19-21页 |
| 1.3.3 单层TMDC spin-valley locking | 第21-22页 |
| 1.3.4 谷霍尔效应及旋光选择性 | 第22-24页 |
| 1.3.5 激子效应 | 第24-26页 |
| 1.4 过渡金属二硫族化合物应用 | 第26-30页 |
| 1.4.1 晶体管 | 第26-27页 |
| 1.4.2 光电子学应用 | 第27-28页 |
| 1.4.3 其他应用 | 第28-30页 |
| 第2章 角分辨光电子能谱原理与技术 | 第30-61页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱基本原理 | 第31-35页 |
| 2.2 角分辨光电子能谱相关理论 | 第35-42页 |
| 2.2.1 单步模型与三步模型 | 第35-38页 |
| 2.2.2 突发近似 | 第38-39页 |
| 2.2.3 单粒子谱函数 | 第39-40页 |
| 2.2.4 矩阵元效应 | 第40-42页 |
| 2.3 角分辨光电子能谱实验技术 | 第42-48页 |
| 2.3.1 光源 | 第42-46页 |
| 2.3.2 超高真空系统 | 第46页 |
| 2.3.3 低温样品转角仪 | 第46-47页 |
| 2.3.4 电子能量分析器 | 第47-48页 |
| 2.4 11eV激光 | 第48-51页 |
| 2.5 偏振调节装置 | 第51-55页 |
| 2.6 SPECS气体放电灯 | 第55-56页 |
| 2.7 自旋探测器 | 第56-61页 |
| 2.7.1 Mott散射和VLEED散射比较 | 第56-57页 |
| 2.7.2 VLEED自旋探测器 | 第57-58页 |
| 2.7.3 Mott散射 | 第58-61页 |
| 第3章 关于过渡金属二硫族化合物块材碱金属沉积的研究 | 第61-68页 |
| 3.1 背景介绍 | 第61-63页 |
| 3.2 K掺杂块材WSe_2 | 第63-64页 |
| 3.3 K掺杂块材MoS_2 | 第64-65页 |
| 3.4 Rb掺杂块材MoS_2 | 第65-66页 |
| 3.5 结论 | 第66-68页 |
| 第4章 关于原子层厚度的2H-MoTe_2单晶的ARPES研究 | 第68-90页 |
| 4.1 背景介绍 | 第68-69页 |
| 4.2 实验条件 | 第69-70页 |
| 4.3 样品表征 | 第70-72页 |
| 4.4 单层MoTe_2电子结构 | 第72-77页 |
| 4.5 双层MoTe_2电子结构 | 第77-81页 |
| 4.6 多层MoTe_2电子结构 | 第81-84页 |
| 4.7 单层,双层和多层MoTe_2K能谷附近能带的比较 | 第84-87页 |
| 4.8 K能谷处能带劈裂讨论 | 第87-88页 |
| 4.9 结论 | 第88-90页 |
| 第5章 关于单原子层厚度的2H-WSe_2单晶的ARPES研究 | 第90-100页 |
| 5.1 背景介绍 | 第90页 |
| 5.2 实验条件 | 第90-91页 |
| 5.3 实验结果及讨论 | 第91-98页 |
| 5.4 高对称点电子有效质量讨论 | 第98页 |
| 5.5 结论 | 第98-100页 |
| 第6章 关于Nb_3SiTe_6块材电子结构的ARPES研究 | 第100-110页 |
| 6.1 背景介绍 | 第100页 |
| 6.2 实验条件 | 第100页 |
| 6.3 实验结果及讨论 | 第100-108页 |
| 6.4 结论 | 第108-110页 |
| 第7章 关于单层WSe_2的自旋分辨角分辨光电子能谱测量 | 第110-119页 |
| 7.1 背景介绍 | 第110页 |
| 7.2 实验条件 | 第110-111页 |
| 7.3 实验结果及讨论 | 第111-118页 |
| 7.4 结论 | 第118-119页 |
| 第8章 总结 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-130页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
