中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1 绪论 | 第8-17页 |
1.1 课题研究的背景和意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外研究现状 | 第9-15页 |
1.2.1 绝缘子的积污特性 | 第9-10页 |
1.2.2 RTV涂料防污性能的研究 | 第10-12页 |
1.2.3 RTV涂料绝缘子的污闪过程 | 第12-15页 |
1.3 本文的主要研究内容 | 第15页 |
1.4 本章小结 | 第15-17页 |
2 RTV涂料绝缘子的积污特性研究 | 第17-27页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 RTV涂料的选定 | 第17-19页 |
2.3 自然积污试验及污秽测试方法 | 第19-21页 |
2.4 自然积污测试结果与分析 | 第21-26页 |
2.5 本章小结 | 第26-27页 |
3 RTV绝缘子表面不同损伤下的交流污闪特性研究 | 第27-51页 |
3.1 试验装置、试品及试验程序 | 第27-32页 |
3.1.1 试验装置及试品 | 第27-29页 |
3.1.2 污闪试验程序设计 | 第29-32页 |
3.2 试验结果及分析 | 第32-39页 |
3.2.1 RTV连续性损伤下的试验结果与分析 | 第32-34页 |
3.2.2 RTV间断性损伤下的试验结果与分析 | 第34-36页 |
3.2.3 RTV涂层表面不同憎水性对污闪电压的影响 | 第36-39页 |
3.3 RTV涂层表面不同损伤下绝缘子串的闪络特性 | 第39-49页 |
3.3.1 RTV涂层不同连续性损伤对污秽特征指数的影响 | 第39-41页 |
3.3.2 RTV涂层不同间断性损伤对污秽特征指数的影响 | 第41-44页 |
3.3.3 RTV不同连续性、间断性损伤下绝缘子的污闪电压下降系数 | 第44-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-51页 |
4 RTV不同损伤下绝缘子的泄漏电流与闪络过程 | 第51-64页 |
4.1 引言 | 第51页 |
4.2 RTV涂层损伤对绝缘子泄漏电流的影响 | 第51-57页 |
4.2.1 临界闪络电流的测量结果 | 第51-52页 |
4.2.2 盐密对临界闪络电流的影响 | 第52-55页 |
4.2.3 RTV涂层表面不同损伤下的临界闪络电流 | 第55-56页 |
4.2.4 RTV涂层不同憎水性等级下的临界闪络电流 | 第56-57页 |
4.3 RTV涂层不同损伤下绝缘子串的交流污闪过程分析 | 第57-62页 |
4.3.1 交流污闪过程电弧发展阶段分析 | 第57-61页 |
4.3.2 RTV涂层憎水性对交流闪络过程中电弧发展的影响 | 第61-62页 |
4.4 本章小结 | 第62-64页 |
5 结论与展望 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
附录 | 第71页 |
A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第71页 |
B. 作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目目录 | 第71页 |