摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 薄带钢连铸技术的发展概况 | 第12-18页 |
1.1.1 国外薄带钢铸轧工艺的发展情况 | 第13-16页 |
1.1.2 国内薄带连铸技术的发展概况 | 第16-18页 |
1.2 薄带钢连铸侧封技术研究进展 | 第18-21页 |
1.2.1 固体侧封技术 | 第18-19页 |
1.2.2 电磁侧封技术 | 第19-20页 |
1.2.3 气体侧封技术 | 第20-21页 |
1.3 固体侧封板的材料及性能研究 | 第21-26页 |
1.3.1 传统侧封板材料 | 第22页 |
1.3.2 熔融石英质侧封板材料 | 第22-23页 |
1.3.3 氧化锆质侧封板材料 | 第23-24页 |
1.3.4 氮化硼复合材料 | 第24-26页 |
1.4 研究背景及意义 | 第26页 |
1.5 本文主要研究内容 | 第26-28页 |
第二章 BN-ZrO_2-SiC摩擦磨损性能的研究 | 第28-45页 |
2.1 摩擦磨损的基本理论 | 第28-30页 |
2.1.1 摩擦机理 | 第28-29页 |
2.1.2 磨损及磨损机理 | 第29-30页 |
2.2 实验方法和实验过程 | 第30-32页 |
2.3 实验结果与分析 | 第32-38页 |
2.3.1 室温下BN-ZrO_2-SiC陶瓷的磨损实验 | 第32-33页 |
2.3.2 BN-ZrO_2-SiC磨损机理探讨 | 第33-35页 |
2.3.3 温度对BN-ZrO_2-SiC磨损性能的影响 | 第35-37页 |
2.3.4 BN-ZrO_2-SiC磨损率的可逆性研究 | 第37-38页 |
2.4 第三体对BN-ZrO_2-SiC销磨损性能的影响 | 第38-43页 |
2.4.1 BN-ZrO_2-SiC销表面第三体的组成成分 | 第39页 |
2.4.2 BN-ZrO_2-SiC销表面第三体的组织特征与运动机制 | 第39-41页 |
2.4.3 第三体的速度调节机制(VAM) | 第41-42页 |
2.4.4 SiC对BN-ZrO_2-SiC磨损性能的影响 | 第42-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 温度对BN-ZrO_2-SiC陶瓷组织的影响 | 第45-56页 |
3.1 实验方法和实验过程 | 第45-47页 |
3.1.1 差示扫描量热法测DSC曲线 | 第45-46页 |
3.1.2 热处理 | 第46页 |
3.1.3 BN-ZrO_2-SiC的晶体形态 | 第46-47页 |
3.2 实验结果与分析 | 第47-53页 |
3.2.1 BN-ZrO_2-SiC陶瓷的DSC曲线分析 | 第47页 |
3.2.2 热处理前BN-ZrO_2-SiC试样的XRD、SEM分析 | 第47-48页 |
3.2.3 BN-ZrO_2-SiC在600℃、750℃保温4h后的XRD及SEM分析 | 第48-50页 |
3.2.4 BN-ZrO_2-SiC在1100℃、1250℃保温4h的XRD及SEM分析 | 第50-52页 |
3.2.5 温度对BN-ZrO_2-SiC热膨胀系数的影响 | 第52-53页 |
3.3 ZrO_2的增韧补强机理 | 第53-54页 |
3.4 本章小结 | 第54-56页 |
第四章 侧封板温度场和热应力场数值模拟 | 第56-76页 |
4.1 侧封板热传导和热应力分析的基本理论 | 第56-59页 |
4.1.1 侧封板热传导基本理论 | 第56-58页 |
4.1.2 侧封板的热应力分析基本理论 | 第58-59页 |
4.2 侧封板温度场和热应力场模拟 | 第59-62页 |
4.2.1 有限元模型建立 | 第59-60页 |
4.2.2 边界条件的设立 | 第60-62页 |
4.3 稳态时侧封板温度场和热应力场的分布特征 | 第62-65页 |
4.4 侧封板预热温度对温度场和热应力场的影响 | 第65-70页 |
4.4.1 非稳态时,预热温度对侧封板温度场的影响 | 第65-66页 |
4.4.2 非稳态时预热温度对侧封板热应力场的影响 | 第66-69页 |
4.4.3 预热温度对最大热应力的影响 | 第69-70页 |
4.4.4 预热温度对侧封板稳态时间的影响 | 第70页 |
4.5 侧封板厚度对温度场和应力场的影响 | 第70-75页 |
4.5.1 侧封板厚度对温度场的影响 | 第70-71页 |
4.5.2 侧封板厚度对应力场的影响 | 第71-73页 |
4.5.3 稳态时侧封板厚度对最大热应力的影响 | 第73-74页 |
4.5.4 非稳态时侧封板厚度对最大热应力的影响 | 第74-75页 |
4.6 本章小结 | 第75-76页 |
第五章 结论 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-82页 |
致谢 | 第82页 |