| 附件 | 第3-7页 |
| 中文摘要 | 第7-11页 |
| 英文摘要 | 第11-15页 |
| 目录 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-44页 |
| 1.1 引言 | 第20-21页 |
| 1.2 半导体纳米结构优异的光伏特性 | 第21-25页 |
| 1.2.1 纳米结构的带隙可调特性 | 第22-23页 |
| 1.2.2 纳米材料的优秀光吸收特性 | 第23页 |
| 1.2.3 规则1D/3D纳米结构的减反特性 | 第23-24页 |
| 1.2.4 多重激子效应特性 | 第24页 |
| 1.2.5 柔性器件特性 | 第24-25页 |
| 1.3 量子结构太阳电池 | 第25-26页 |
| 1.3.1 量子阱太阳电池 | 第25页 |
| 1.3.2 量子点异质结电池 | 第25-26页 |
| 1.4 1D/3D纳米结构太阳电池 | 第26-27页 |
| 1.4.1 化合物半导体有序纳米结构太阳电池 | 第26-27页 |
| 1.4.2 Si纳米线太阳电池 | 第27页 |
| 1.5 敏化电池 | 第27-34页 |
| 1.5.1 敏化电池的结构与原理 | 第28-31页 |
| 1.5.2 染料敏化电池 | 第31-33页 |
| 1.5.3 量子点敏化电池 | 第33-34页 |
| 1.6 本论文的选题背景和研究内容 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 第二章 多孔膜敏化电池与电化学可控制备的研究 | 第44-61页 |
| 2.1 敏化电池性能测试 | 第44-50页 |
| 2.1.1 太阳电池入射光的光谱与能量标准 | 第44-47页 |
| 2.1.2 太阳电池的性能标准 | 第47-49页 |
| 2.1.3 电池性能测试平台 | 第49-50页 |
| 2.2 多孔膜敏化电池的制备研究 | 第50-55页 |
| 2.2.1 多孔膜厚度对于敏化电池性能的影响 | 第51-53页 |
| 2.2.2 纳米银颗粒掺杂多孔膜对于敏化电池性能的影响 | 第53-55页 |
| 2.3 二氧化钛纳米管阵列的制备与器件应用研究 | 第55-58页 |
| 2.3.1 二氧化钛纳米管阵列的制备 | 第55-56页 |
| 2.3.2 电化学氧化时间对于管阵膜厚的影响 | 第56-57页 |
| 2.3.3 电化学氧化电压对于纳米管内径、外径的影响 | 第57-58页 |
| 2.3.4 电化学反应溶液水含量对于纳米管形貌的影响 | 第58页 |
| 2.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第三章 基于离子浓度的TiO_2 NTAs生长机理与物理调制法 | 第61-81页 |
| 3.1 TiO_2 NTAs制备过程中振荡现象的研究现状 | 第61-63页 |
| 3.2 实验部分 | 第63-64页 |
| 3.2.1 二氧化钛纳米管阳极氧化过程及自发振荡现象 | 第63-64页 |
| 3.2.2 人工干预调制与机理研究 | 第64页 |
| 3.2.3 纳米结构的表征与检测 | 第64页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第64-78页 |
| 3.3.1 二氧化钛纳米管制备过程中电流的振荡与管壁的起伏现象 | 第64-66页 |
| 3.3.2 机械搅拌对于电流振荡和形貌起伏的影响 | 第66-69页 |
| 3.3.3 周期性振荡调制电压对于电流振荡和形貌起伏的影响 | 第69-70页 |
| 3.3.4 关于自发与受调制振荡现象的机理解释 | 第70-75页 |
| 3.3.5 可控振荡行为在纳米结构制备中的应用 | 第75-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第四章 TiO_2 NTAs的物理化学综合修饰及其在DSSCs中的应用 | 第81-104页 |
| 4.1 管基染料敏化电池研究现状 | 第81-83页 |
| 4.2 实验部分 | 第83-84页 |
| 4.2.1 二氧化钛纳米管阵列的制备 | 第83页 |
| 4.2.2 二级结构的制备与其他表面修饰 | 第83页 |
| 4.2.3 DSSCs的组装 | 第83-84页 |
| 4.2.4 材料与器件的表征与检测 | 第84页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第84-99页 |
| 4.3.1 二氧化钛纳米管阵列表面次级结构的形成 | 第84-88页 |
| 4.3.2 不同浓度HF溶液对管阵形貌与电池性能的影响 | 第88-91页 |
| 4.3.3 结合TiCl_4处理的表面修饰对电池性能的影响 | 第91-93页 |
| 4.3.4 物理调制方法对管阵形貌与电池性能的影响 | 第93-96页 |
| 4.3.5 次级结构的生成与物理化学综合调制原理 | 第96-99页 |
| 4.4 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第五章 电场辅助PbS量子点原位化学浴沉积法及其在QDSSCs中的应用 | 第104-132页 |
| 5.1 PbS QDSSCs的研究现状 | 第104-106页 |
| 5.2 实验部分 | 第106-107页 |
| 5.2.1 二氧化钛多孔膜及纳米管阵列的制备与调制 | 第106页 |
| 5.2.2 量子点的非原位与原位生长 | 第106页 |
| 5.2.3 QDSSCs的组装 | 第106-107页 |
| 5.2.4 材料与器件的表征 | 第107页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第107-127页 |
| 5.3.1 基于多孔膜的QDSSCs | 第107-112页 |
| 5.3.2 基于纳米管阵列的QDSSCs | 第112-115页 |
| 5.3.3 基于综合调制管阵的QDSSCs | 第115-119页 |
| 5.3.4 不同内外径的NTAs对QDSSCs的影响 | 第119-122页 |
| 5.3.5 电场辅助量子点原位化学浴沉积法(EACBD) | 第122-127页 |
| 5.4 本章小结 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-132页 |
| 第六章 总结与展望 | 第132-136页 |
| 6.1 主要结论 | 第132-134页 |
| 6.2 研究展望 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 完成论文目录 | 第137页 |
