| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9页 |
| 1.2 静电放电保护的国内外研究历史与现状 | 第9-15页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第15页 |
| 1.4 本论文的主要内容和结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 高压静电放电保护设计理论 | 第16-24页 |
| 2.1 静电现象 | 第16-17页 |
| 2.2 静电放电防护设计流程 | 第17-22页 |
| 2.3 闩锁效应 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 PDP驱动电路输出端ESD防护设计分析 | 第24-43页 |
| 3.1 基本工艺流程介绍 | 第24-26页 |
| 3.2 ESD防护器件介绍 | 第26-35页 |
| 3.2.1 高压二极管ESD能力分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 高压MOS管ESD能力分析 | 第29-31页 |
| 3.2.3 IGBT器件ESD能力分析 | 第31-33页 |
| 3.2.4 SCR器件ESD能力分析 | 第33-35页 |
| 3.3 各类防护器件抗ESD能力对比和分析 | 第35-42页 |
| 3.3.1 各类ESD防护器件工艺仿真对比分析 | 第35-40页 |
| 3.3.2 各类ESD防护器件TLP测试结果对比分析 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 PDP驱动电路输出端ESD防护设计优化 | 第43-61页 |
| 4.1 IGBT器件结构优化及分析 | 第43-46页 |
| 4.1.1 优化IGBT器件IV仿真 | 第44页 |
| 4.1.2 优化IGBT器件分析 | 第44-46页 |
| 4.2 IGBT器件选择性触发设计和分析 | 第46-59页 |
| 4.2.1 控制开关的选择及分析 | 第47-49页 |
| 4.2.2 ESD防护设计优化方案一具体实施 | 第49-52页 |
| 4.2.3 ESD防护设计优化方案二具体实施 | 第52-56页 |
| 4.2.4 ESD防护设计优化方案三具体实施 | 第56-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第61-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第61页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66-67页 |