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ZnO纳米线阵列的制备及其光电化学性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 前言第11-12页
    1.2 ZnO 的晶体结构与基本物性第12-14页
    1.3 ZnO 薄膜的应用第14-16页
        1.3.1 紫外探测和发光器件第14页
        1.3.2 纳米电子器件第14-15页
        1.3.3 太阳能电池第15页
        1.3.4 传感器元件第15页
        1.3.5 光催化降解第15-16页
    1.4 纳米 ZnO 光催化降解的研究现状第16-18页
        1.4.1 纳米 ZnO 光催化降解在国内的研究现状第16-17页
        1.4.2 纳米 ZnO 光催化降解在国外的研究现状第17-18页
    1.5 目前纳米 ZnO 研究中存在的不足以及需要进一步研究的问题第18页
    1.6 本文的主要研究目的和内容第18-20页
第二章 纳米 ZnO 的制备、改性和表征第20-27页
    2.1 ZnO 纳米线阵列的制备方法第20-21页
        2.1.1 分子束外延第20页
        2.1.2 金属有机化学气相沉积第20页
        2.1.3 磁控溅射第20-21页
        2.1.4 水热法第21页
        2.1.5 电化学沉积法第21页
    2.2 电化学沉积制备纳米 ZnO 阵列第21-23页
        2.2.1 电化学沉积系统第21-22页
        2.2.2 电化学沉积制备纳米 ZnO 阵列第22-23页
    2.3 纳米 ZnO 的改性第23页
    2.4 实验相关器材、原料以及实验步骤第23-25页
        2.4.1 实验所需药品与仪器第23-24页
        2.4.2 实验的过程与步骤第24-25页
    2.5 纳米 ZnO 的表征第25-27页
        2.5.1 扫描电子显微镜第25-26页
        2.5.2 X 射线衍射仪第26页
        2.5.3 紫外-可见分光光度计第26-27页
第三章 电解液中离子对纳米 ZnO 形貌的影响第27-38页
    3.1 纳米 ZnO 的制备第27-30页
        3.1.1 ITO 表面的处理第27-28页
        3.1.2 ZnO 种子层的制备第28页
        3.1.3 ZnO 纳米线的制备第28-30页
    3.2 制备过程中杂质离子对纳米 ZnO 阵列的形貌影响第30-36页
        3.2.1 电解液中 Pb~(2+)对纳米 ZnO 形貌的影响第30-34页
        3.2.2 电解液中 Li~+对纳米 ZnO 形貌的影响第34-35页
        3.2.3 电解液中 Mg~(2+)对纳米 ZnO 形貌的影响第35-36页
        3.2.4 电解液中 NO_3~-对纳米 ZnO 形貌的影响第36页
    3.3 本章小结第36-38页
第四章 纳米 ZnO 的硫化改性及光催化性能研究第38-49页
    4.1 纳米 ZnO 光催化性能的改性第38页
    4.2 ZnS 的性质第38-39页
    4.3 纳米 ZnO 的硫化第39-45页
    4.4 掺杂 S2-后 ZnO 纳米线的光催化性能研究第45-48页
        4.4.1 光催化技术简介第45页
        4.4.2 纳米 ZnO 的催化降解第45-47页
        4.4.3 硫化改性后纳米 ZnO 的光催化性能研究第47-48页
    4.5 本章小结第48-49页
第五章 纳米 ZnO 的包覆改性及其光催化性能研究第49-64页
    5.1 纳米 ZnO 与 Mg(OH)_2的复合第49-54页
        5.1.1 Mg(OH)_2薄膜的电化学制备第49-50页
        5.1.2 ZnO 纳米线上生长 Mg(OH)_2第50页
        5.1.3 Mg(OH)_2包覆纳米 ZnO 样品的表征第50-53页
        5.1.4 Mg(OH)_2包覆纳米 ZnO 样品的光电化学性能第53-54页
    5.2 PbS 与纳米 ZnO 的复合改性第54-63页
        5.2.1 PbS 包覆纳米 ZnO第55页
        5.2.2 PbS 包覆纳米 ZnO 的表征第55-58页
        5.2.3 PbS 包覆纳米 ZnO 后的光电化学性能研究第58-63页
    5.3 本章小结第63-64页
结论第64-66页
参考文献第66-72页
致谢第72页

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