| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 图表清单 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 石墨烯的基本性质 | 第13-17页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 石墨烯的电学性能 | 第15-16页 |
| 1.2.3 石墨烯的光学性能 | 第16页 |
| 1.2.4 石墨烯的力学性能 | 第16-17页 |
| 1.2.5 石墨烯的其他性能 | 第17页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第17-19页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第17页 |
| 1.3.2 SiC 热解法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第18页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.4 非晶碳膜的基本性质 | 第19-20页 |
| 1.4.1 非晶碳膜的结构 | 第19页 |
| 1.4.2 非晶碳膜的性能 | 第19-20页 |
| 1.5 非晶碳膜的制备方法 | 第20-22页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积法 | 第20-21页 |
| 1.5.2 磁控溅射法 | 第21-22页 |
| 1.6 石墨烯以及非晶碳膜的研究现状 | 第22-25页 |
| 1.6.1 石墨烯的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.6.2 非晶碳膜的研究现状 | 第24-25页 |
| 1.7 本文的研究目的和研究计划 | 第25-26页 |
| 1.7.1 研究目的 | 第25页 |
| 1.7.2 研究内容与实验方案 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法及表征 | 第26-37页 |
| 2.1 主要实验设备及原料 | 第26-27页 |
| 2.2 化学气相沉积法制备石墨烯 | 第27-32页 |
| 2.2.1 真空管式炉 | 第27-28页 |
| 2.2.2 热丝化学气相沉积 | 第28-29页 |
| 2.2.3 铜衬底的预处理 | 第29-30页 |
| 2.2.4 石墨烯的生长 | 第30-31页 |
| 2.2.5 石墨烯的转移 | 第31-32页 |
| 2.3 磁控溅射法生长非晶碳/钛多层膜 | 第32-33页 |
| 2.3.1 磁控溅射 | 第32-33页 |
| 2.3.2 非晶碳/钛多层膜的生长 | 第33页 |
| 2.4 薄膜的主要表征方法 | 第33-37页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| 2.4.2 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 2.4.3 紫外-可见分光光度计 | 第35页 |
| 2.4.4 四探针电阻测试仪 | 第35-37页 |
| 第三章 聚苯乙烯源化学气相沉积生长石墨烯 | 第37-45页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 固态碳源温度对石墨烯生长的影响 | 第37-40页 |
| 3.3 衬底温度对石墨烯生长的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 石墨烯的动态生长 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 热丝化学气相沉积低温生长石墨烯的研究 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 灯丝温度对热丝 CVD 法生长石墨烯的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 衬底温度对热丝 CVD 法生长石墨烯的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 气态碳源浓度对热丝 CVD 法生长石墨烯的影响 | 第47-50页 |
| 4.5 等离子体辅助的影响 | 第50-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 退火处理对磁控溅射生长碳/钛多层膜性能的影响 | 第54-67页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 不同气压退火对非晶碳膜的影响 | 第54-57页 |
| 5.3 不同气压退火对钛膜的影响 | 第57-58页 |
| 5.4 不同条件退火对碳/钛多层膜的影响 | 第58-65页 |
| 5.4.1 不同气压退火对多层膜的影响 | 第59-61页 |
| 5.4.2 钛层厚度对多层膜性能的影响 | 第61-63页 |
| 5.4.3 退火温度对多层膜性能的影响 | 第63-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 结论 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第76页 |
| 攻读硕士学位期间参加科研项目情况 | 第76页 |
