| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 前言 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体能带 | 第8-10页 |
| 1.2.1 能带的形成 | 第8-9页 |
| 1.2.2 半导体能带模型 | 第9-10页 |
| 1.2.3 研究能带的意义 | 第10页 |
| 1.3 能带的测试方法及现状 | 第10-12页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第12-13页 |
| 1.5 本篇论文的章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 光催化材料及电化学测试方法综述 | 第15-41页 |
| 2.1 光催化 | 第15-19页 |
| 2.2 能带测试方法 | 第19-22页 |
| 2.3 电化学测试方法 | 第22-31页 |
| 2.4 平带电位测试研究现状 | 第31-33页 |
| 2.5 材料合成、微观分析和电化学测试机理 | 第33-41页 |
| 第三章 实验部分 | 第41-51页 |
| 3.1 SrTiO_3系半导体材料的合成及微观分析 | 第41-43页 |
| 3.1.1 主要原料设备 | 第41-42页 |
| 3.1.2 材料的合成工艺 | 第42页 |
| 3.1.3 材料的 XRD 分析 | 第42页 |
| 3.1.4 材料的 TEM 分析 | 第42页 |
| 3.1.5 材料的 DTA-TGA 分析 | 第42-43页 |
| 3.2 工作电极的制备 | 第43-44页 |
| 3.2.1 制作流程简介 | 第43-44页 |
| 3.3 SrTiO_3系半导体材料平带电位测试 | 第44-51页 |
| 3.3.1 TiO_2的 Mott-Schottky 测试 | 第44-47页 |
| 3.3.2 Mott-schottky 测试结果的影响因素 | 第47-48页 |
| 3.3.3 TiO_2、SrTiO_3、SrFeO_(3-δ)材料的平带电位（I-V 性能）测试 | 第48页 |
| 3.3.4 SrTiO_3系半导体材料的平带电位（Mott-schottky）测试 | 第48页 |
| 3.3.5 光照对 TiO_2、SrTiO_3、SrFeO_(3-δ)阻抗频率性能测试的影响 | 第48-51页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第51-71页 |
| 4.1 材料表征 | 第51-53页 |
| 4.1.1 X 射线衍射分析 | 第51-52页 |
| 4.1.2 TEM 透射电镜分析 | 第52-53页 |
| 4.1.3 DTA-TGA 分析 | 第53页 |
| 4.2 材料的电化学测试及能带计算结果 | 第53-71页 |
| 4.2.1 TiO_2的 Mott-Schottky 测试 | 第53-55页 |
| 4.2.2 Mott-schottky 测试结果的影响因素 | 第55-60页 |
| 4.2.3 TiO_2、SrTiO_3、SrFeO_(3-δ)材料的平带电位（I-V 性能）测试 | 第60-63页 |
| 4.2.4 SrTiO_3系材料有光无光条件下的平带电位（Mott-schottky）测试 | 第63-68页 |
| 4.2.5 光照对 TiO_2、SrTiO_3、SrFeO_(3-δ)阻抗频率性能测试的影响 | 第68-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
