| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 纳米颗粒的特殊性质 | 第8-10页 |
| 1.2.1 表面效应 | 第8-9页 |
| 1.2.2 小尺寸效应 | 第9页 |
| 1.2.3 量子尺寸效应 | 第9页 |
| 1.2.4 宏观量子隧道效应 | 第9-10页 |
| 1.3 应变在纳米颗粒中的研究 | 第10-11页 |
| 1.4 GaAs 的基本性质及应用 | 第11-13页 |
| 1.4.1 GaAs 的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.4.2 GaAs 的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.4.3 GaAs 纳米颗粒的应用 | 第13页 |
| 1.5 GaAs 纳米颗粒的制备及性能研究 | 第13-14页 |
| 1.6 本文章的研究思路和主要内容 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 埋嵌型纳米颗粒的制备方法与应变场模拟 | 第18-28页 |
| 2.1 脉冲激光沉积法概述 | 第18页 |
| 2.2 脉冲激光沉积法原理 | 第18-20页 |
| 2.3 脉冲激光沉积法的制备过程 | 第20-21页 |
| 2.4 应变场模拟 | 第21-27页 |
| 2.4.1 有限元法 | 第21-22页 |
| 2.4.2 有限元模拟的基本假设 | 第22页 |
| 2.4.3 有限元模拟的基本过程 | 第22-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 GaAs 纳米颗粒生长在不同基体材料中的的应变场模拟 | 第28-34页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 模拟 | 第28-29页 |
| 3.3 模拟结果 | 第29-30页 |
| 3.4 讨论 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第四章 应变作用下 GaAs 纳米颗粒的形变研究 | 第34-44页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 模拟 | 第34-37页 |
| 4.4 实验 | 第37-38页 |
| 4.5 讨论分析 | 第38-40页 |
| 4.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第五章 应变作用下 GaAs 纳米颗的电学性能研究 | 第44-52页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 GaAs 纳米颗粒电容器制备 | 第44-45页 |
| 5.3 GaAs 纳米颗粒生长在器件中的应变场模拟 | 第45-46页 |
| 5.4 GaAs 纳米颗粒结构表征分析 | 第46-47页 |
| 5.5 GaAs 纳米颗粒电存储性能分析 | 第47-49页 |
| 5.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 总结与展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 在读期间发表的论文 | 第54页 |
