| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 综述 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 量子点概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 量子点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 量子点的性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 胶体量子点热注入法制备简介 | 第14-16页 |
| 1.3 胶体量子点器件的分类 | 第16-22页 |
| 1.3.1 基于胶体量子点的场效应晶体管 | 第17-18页 |
| 1.3.2 基于胶体量子点的发光二极管 | 第18页 |
| 1.3.3 基于胶体量子点的太阳能电池 | 第18-19页 |
| 1.3.4 基于胶体量子点的存储器 | 第19-20页 |
| 1.3.5 基于胶体量子点的光电探测器 | 第20-22页 |
| 1.4 基于胶体量子点光电探测器的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 场效应光电晶体管的基本理论 | 第27-43页 |
| 2.1 场效应晶体管的分类 | 第27-28页 |
| 2.1.1 横向结构场效应晶体管 | 第27-28页 |
| 2.1.2 垂直结构场效应晶体管 | 第28页 |
| 2.1.3 体异质结场效应晶体管 | 第28页 |
| 2.1.4 层异质结场效应晶体管 | 第28页 |
| 2.2 场效应晶体管的基本原理 | 第28-37页 |
| 2.2.1 横向场效应晶体管的分类 | 第29-31页 |
| 2.2.2 横向场效应晶体管的电学基本理论 | 第31-32页 |
| 2.2.3 垂直场效应晶体管的电学基本理论 | 第32-35页 |
| 2.2.4 量子点场效应晶体管的光电传感机制 | 第35-37页 |
| 2.3 场效应光电晶体管的性能参数 | 第37-39页 |
| 2.3.1 光增益 | 第37-38页 |
| 2.3.2 光响应度 | 第38页 |
| 2.3.3 归一化探测度 | 第38-39页 |
| 2.3.4 外量子效率 | 第39页 |
| 2.4 溶液法制备场效应晶体管 | 第39-41页 |
| 2.5 小结 | 第41-43页 |
| 第三章 石墨烯、聚合物和量子点的体异质结的红外光电探测器的研究 | 第43-63页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 石墨烯 | 第44-46页 |
| 3.2.1 石墨烯的特性 | 第44-45页 |
| 3.2.2 单层和多层石墨烯的制备 | 第45页 |
| 3.2.3 拉曼光谱 | 第45-46页 |
| 3.3 聚合物 | 第46-47页 |
| 3.4 石墨烯、量子点和聚合物制备及表征 | 第47-51页 |
| 3.4.1 石墨烯的制备及表征 | 第47-48页 |
| 3.4.2 PbS量子点的制备及表征 | 第48-50页 |
| 3.4.3 PbS和聚合物及混合物的红外光谱 | 第50-51页 |
| 3.5 石墨烯-体异质结器件和体异质结器件的制备 | 第51-52页 |
| 3.6 石墨烯-体异质结器件和体异质结器件电学特性的研究 | 第52-55页 |
| 3.6.1 器件的IV特性 | 第53-54页 |
| 3.6.2 器件的转移特性 | 第54-55页 |
| 3.7 石墨烯-体异质结器件和体异质结器件的光电特性的研究 | 第55-62页 |
| 3.7.1 不同光照强度下器件的转移特性 | 第55-56页 |
| 3.7.2 器件的光响应度 | 第56-59页 |
| 3.7.3 器件的瞬态光电流 | 第59-60页 |
| 3.7.4 器件的光电传感机制 | 第60-62页 |
| 3.8 小结 | 第62-63页 |
| 第四章 石墨烯、聚合物和量子点层异质结红外光电探测器的研究 | 第63-81页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 石墨烯、量子点和聚合物的制备及表征 | 第63-67页 |
| 4.2.1 单层石墨烯的表征 | 第63-64页 |
| 4.2.2 PbSe量子点的制备及表征 | 第64-66页 |
| 4.2.3 聚合物的表征 | 第66-67页 |
| 4.3 石墨烯-层异质结器件和层异质结器件的制备及表征 | 第67-69页 |
| 4.3.1 石墨烯-层异质结器件的制备及表征 | 第67-68页 |
| 4.3.2 层异质结器件的制备及表征 | 第68-69页 |
| 4.4 石墨烯-层异质结器件和层异质结器件的电学特性的研究 | 第69-70页 |
| 4.4.1 器件的IV特性 | 第69-70页 |
| 4.5 石墨烯-层异质结器件和层异质结器件的光电特性的研究 | 第70-78页 |
| 4.5.1 不同光照强度下器件的转移特性 | 第70-72页 |
| 4.5.2 器件的光响应度、外量子效率和归一化探测度 | 第72-75页 |
| 4.5.3 器件的瞬态光电流 | 第75-77页 |
| 4.5.4 器件的全光谱响应度 | 第77-78页 |
| 4.6 器件的光电传感机制 | 第78-79页 |
| 4.7 小结 | 第79-81页 |
| 第五章 量子点垂直结构红外光电探测器的研究 | 第81-95页 |
| 5.1 引言 | 第81-82页 |
| 5.2 金银纳米线和量子点制备及表征 | 第82-85页 |
| 5.2.1 金银纳米线透明电极的制备 | 第82-83页 |
| 5.2.2 PbSe量子点的制备及表征 | 第83-85页 |
| 5.3 量子点垂直结构器件的制备及表征 | 第85-86页 |
| 5.4 量子点垂直结构光电探测器的电学特性研究 | 第86-90页 |
| 5.4.1 器件的电传导原理 | 第86-87页 |
| 5.4.2 器件的开关比 | 第87-89页 |
| 5.4.3 量子点层厚度对器件开关性能的影响 | 第89-90页 |
| 5.5 量子点垂直结构光电探测器的研究 | 第90-94页 |
| 5.5.1 器件的光传感机制 | 第90-91页 |
| 5.5.2 不同光照强度下器件的IV特性 | 第91页 |
| 5.5.3 器件的光响应度 | 第91-92页 |
| 5.5.4 器件的归一化探测度 | 第92-93页 |
| 5.5.5 器件的瞬态光电流 | 第93-94页 |
| 5.6 小结 | 第94-95页 |
| 第六章 石墨烯/量子点混合物垂直结构红外光电探测器的研究 | 第95-107页 |
| 6.1 引言 | 第95-96页 |
| 6.2 石墨烯和量子点混合物的制备与表征 | 第96-97页 |
| 6.3 器件的制备及表征 | 第97-99页 |
| 6.4 石墨烯和量子点器件电学特性的研究 | 第99-100页 |
| 6.5 石墨烯和量子点器件的光电特性的研究 | 第100-105页 |
| 6.5.1 不同光照强度下器件的光电特性 | 第100-102页 |
| 6.5.2 器件的光响应度、外量子效率和归一化探测度 | 第102-103页 |
| 6.5.3 器件的瞬态光电流和光电传输机制 | 第103-105页 |
| 6.6 小结 | 第105-107页 |
| 第七章 总结与展望 | 第107-109页 |
| 7.1 总结 | 第107-108页 |
| 7.2 展望 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-137页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第137-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
