| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 选题背景和研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 SiC的基本性质及nc-SiC辐照效应的研究现状 | 第8-14页 |
| 1.2.1 SiC的基本性质 | 第8-10页 |
| 1.2.2 nc-SiC辐照效应的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 实验过程 | 第15-26页 |
| 2.1 实验样品 | 第15-19页 |
| 2.2 离子辐照实验 | 第19-21页 |
| 2.3 Raman光谱的测试方法与特征参数 | 第21-26页 |
| 2.3.1 Raman光谱的测试方法 | 第21-24页 |
| 2.3.2 Raman光谱的特征参数 | 第24-26页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第26-48页 |
| 3.1 原生单晶SiC和nc-SiC样品的Raman光谱 | 第26-28页 |
| 3.2 离子辐照SiC薄膜的Raman光谱结果 | 第28-35页 |
| 3.2.1 5MeVXe离子辐照的实验结果 | 第28-32页 |
| 3.2.2 60keVC和18keVHe离子辐照的实验结果 | 第32-35页 |
| 3.3 Raman光谱的结果讨论 | 第35-48页 |
| 3.3.1 晶粒尺寸对nc-SiC非晶化剂量的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.2 辐照离子种类对nc-SiC非晶化剂量的影响 | 第44-48页 |
| 第四章 结果与展望 | 第48-50页 |
| 4.1 总结 | 第48页 |
| 4.2 展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 在学期间的研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
