| 附件 | 第5-6页 |
| 答辩决议书(讨论稿) | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 硅纳米线制备概述 | 第13-14页 |
| 1.2 硅纳米线性质表征概述 | 第14-16页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第2章 制备机理及形貌调控的研究进展 | 第20-38页 |
| 2.1 金属辅助化学刻蚀法（MACE）机理的研究进展 | 第20-25页 |
| 2.2 基于 MACE 硅纳米线形貌调控介绍 | 第25-31页 |
| 2.3 光照在纳米结构制备中的应用 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第3章 光辅助的 MACE 方法对硅纳米线形貌的调控 | 第38-55页 |
| 3.1 光辅助的 MACE 制备方法 | 第38-39页 |
| 3.2 新形貌的产生及定量研究方法 | 第39-43页 |
| 3.3 光照及硅片掺杂条件对硅纳米线形貌的影响 | 第43-49页 |
| 3.3.1 光照强度对硅纳米线形貌的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.2 光照波长对硅纳米线形貌的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 硅片掺杂对光照下硅纳米线形貌的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 常见形貌影响因素及多孔性的讨论 | 第49-53页 |
| 3.4.1 温度的影响 | 第49-50页 |
| 3.4.2 毛细力的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.3 硅纳米线多孔性的初步研究 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第4章 光辅助的 MACE 方法机理研究 | 第55-71页 |
| 4.1 时间序列实验研究 | 第55-59页 |
| 4.2 银含量分布实验 | 第59-62页 |
| 4.3 光辅助的 MACE 方法的机理模型 | 第62-68页 |
| 4.3.1 机理模型的提出 | 第62-65页 |
| 4.3.2 普适的应用意义 | 第65-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第5章 金属辅助化学刻蚀法中掺杂对于刻蚀过程的影响 | 第71-82页 |
| 5.1 掺杂类型及浓度对于 Ag 沉积的影响 | 第71-73页 |
| 5.2 掺杂类型及浓度对于硅纳米线刻蚀的影响 | 第73-80页 |
| 5.2.1 掺杂类型及浓度对于刻蚀速率的影响 | 第73-75页 |
| 5.2.2 硅纳米线倾斜结块形貌的研究 | 第75-78页 |
| 5.2.3 实验结果分析 | 第78-80页 |
| 5.3 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 第6章 总结 | 第82-85页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第82-83页 |
| 6.2 未来研究建议 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的奖励 | 第86页 |
| 发表论文 | 第86页 |
| 获得的奖项 | 第86页 |
