| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| 1.1 动态随机存取存储器(DRAM)简介 | 第8页 |
| 1.2 新型DRAM设计 | 第8-11页 |
| 1.3 隧穿晶体管简介 | 第11-13页 |
| 第二章 1T-1D DRAM器件分析模拟 | 第13-27页 |
| 2.1 1T-1D DRAM的基本结构和工作方式 | 第13-16页 |
| 2.1.1 1T-1D DRAM的基本结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 1T-1D DRAM的基本工作原理 | 第14-16页 |
| 2.2 1T-1D DRAM的功能验证模拟及分析 | 第16-18页 |
| 2.3 1T-1D DRAM的电流分析 | 第18-20页 |
| 2.4 1T-1D DRAM的浮栅电势变化分析 | 第20-22页 |
| 2.5 1T-1D DRAM的干扰特性分析 | 第22-23页 |
| 2.6 1T-1D DRAM的保持特性分析 | 第23-24页 |
| 2.7 模拟参数校准 | 第24-26页 |
| 2.7.1 隧穿模型可靠性验证 | 第24-25页 |
| 2.7.2 载流子寿命校准 | 第25-26页 |
| 2.8 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 ZnO纳米线/Si异质结实验制备方法及测试方法介绍 | 第27-34页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 ZnO纳米线生长：水热法 | 第28-29页 |
| 3.3 ZnO籽晶层制备：裹液-覆盖法 | 第29-30页 |
| 3.4 ZnO籽晶层制备：原子层淀积法 | 第30-32页 |
| 3.5 样品表征及测试方法 | 第32-34页 |
| 3.5.1 X射线衍射分析(XRD) | 第32页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第32-33页 |
| 3.5.3 电学特性测试 | 第33-34页 |
| 第四章 ZnO纳米线的生长与表征 | 第34-41页 |
| 4.1 引言 | 第34-35页 |
| 4.2 不同ZnO籽晶层薄膜生长方法的ZnO纳米线比较 | 第35-40页 |
| 4.2.1 采用裹液法生长籽晶层的ZnO纳米线 | 第35-37页 |
| 4.2.2 采用ALD生长籽晶层的ZnO纳米线 | 第37-38页 |
| 4.2.3 籽晶层进行退火对ZnO纳米线的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 ZnO纳米线/Si异质结的特性研究 | 第41-46页 |
| 5.1 ZnO纳米线/Si异质结的制备 | 第41-43页 |
| 5.2 ZnO纳米线/Si异质结的电学特性综述 | 第43-44页 |
| 5.3 ZnO纳米线/Si异质结的正向电流电压特性分析 | 第44-46页 |
| 第六章 总结与展望 | 第46-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士阶段发表论文及专利 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
