| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 纳米硅薄膜研究现状 | 第11-16页 |
| 1.1.1 纳米硅薄膜国内研究现状 | 第11-14页 |
| 1.1.2 纳米硅薄膜国外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.2 纳米硅薄膜晶体管研究现状 | 第16-26页 |
| 1.2.1 纳米硅薄膜晶体管国内研究现状 | 第16-21页 |
| 1.2.2 纳米硅薄膜晶体管国外研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3 多功能传感器研究现状 | 第26-40页 |
| 1.3.1 多功能传感器国内研究现状 | 第26-35页 |
| 1.3.2 多功能传感器国外研究现状 | 第35-40页 |
| 1.4 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器研究目的和研究意义 | 第40-41页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第40-41页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第41页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第41-43页 |
| 第2章 纳米硅薄膜制备及特性研究 | 第43-51页 |
| 2.1 纳米硅薄膜制备 | 第43-44页 |
| 2.2 纳米硅薄膜特性研究 | 第44-49页 |
| 2.2.1 XRD 测试 | 第44-47页 |
| 2.2.2 Raman 光谱 | 第47-48页 |
| 2.2.3 AFM 分析 | 第48-49页 |
| 2.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 纳米硅薄膜晶体管压/磁理论模型及理论分析 | 第51-61页 |
| 3.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁理论模型 | 第51页 |
| 3.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁理论分析 | 第51-60页 |
| 3.2.1 外加压力 P=0 kPa、外加磁场 B=0 T | 第52-54页 |
| 3.2.2 外加压力 P≠0 kPa、外加磁场 B=0 T | 第54-56页 |
| 3.2.3 外加压力 P=0 kPa、外加磁场 B≠0 T | 第56-57页 |
| 3.2.4 外加压力 P≠0 kPa、外加磁场 B≠0 T | 第57-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器基本结构与工作原理 | 第61-69页 |
| 4.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器基本结构 | 第61-62页 |
| 4.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏结构工作原理 | 第62-65页 |
| 4.2.1 压阻效应 | 第62-64页 |
| 4.2.2 压敏结构工作原理 | 第64-65页 |
| 4.3 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏结构工作原理 | 第65-68页 |
| 4.3.1 霍尔效应 | 第65-67页 |
| 4.3.2 磁敏结构工作原理 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器特性仿真 | 第69-81页 |
| 5.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏特性仿真 | 第69-75页 |
| 5.1.1 压敏特性仿真结构模型 | 第69-70页 |
| 5.1.2 压敏特性仿真结果 | 第70-75页 |
| 5.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏特性仿真 | 第75-80页 |
| 5.2.1 磁敏结构特性仿真模型 | 第75-76页 |
| 5.2.2 磁敏特性仿真结果 | 第76-80页 |
| 5.3 本章小结 | 第80-81页 |
| 第6章 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器结构设计与制作工艺 | 第81-103页 |
| 6.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器结构设计 | 第81-97页 |
| 6.1.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏结构设计 | 第81-95页 |
| 6.1.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏结构设计 | 第95-97页 |
| 6.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器制作工艺 | 第97-98页 |
| 6.3 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器版图设计 | 第98-100页 |
| 6.4 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器芯片封装 | 第100-102页 |
| 6.5 本章小结 | 第102-103页 |
| 第7章 实验结果与讨论 | 第103-164页 |
| 7.1 纳米硅薄膜晶体管特性 | 第103-105页 |
| 7.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏特性 | 第105-131页 |
| 7.2.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏特性的影响因素 | 第105-110页 |
| 7.2.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏结构静态特性 | 第110-131页 |
| 7.3 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏特性 | 第131-149页 |
| 7.3.1 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏结构不等位电势 | 第132-133页 |
| 7.3.2 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏特性的影响因素 | 第133-136页 |
| 7.3.3 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏结构静态特性 | 第136-149页 |
| 7.4 纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压/磁特性 | 第149-150页 |
| 7.5 n 型沟道纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器 | 第150-162页 |
| 7.5.1 n 型沟道纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器磁敏特性 | 第151-157页 |
| 7.5.2 n 型沟道纳米硅薄膜晶体管压/磁传感器压敏特性 | 第157-162页 |
| 7.6 本章小结 | 第162-164页 |
| 结论 | 第164-168页 |
| 参考文献 | 第168-177页 |
| 致谢 | 第177-178页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第178页 |
| 攻读学位期间待发表论文 | 第178页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第178页 |
| 攻读学位期间申请发明专利 | 第178页 |
