量子点镶嵌碳杂化纳米材料的制备及其性能研究
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
第1章 引言 | 第9-18页 |
1.1 前言 | 第9-10页 |
1.2 半导体量子点基本概念 | 第10页 |
1.3 半导体量子点制备方法 | 第10-12页 |
1.3.1 化学气相沉积法 | 第10页 |
1.3.2 溶胶-凝胶法 | 第10-11页 |
1.3.3 模板合成法 | 第11页 |
1.3.4 化学溶液沉积法 | 第11页 |
1.3.5 低温燃烧合成法 | 第11-12页 |
1.4 半导体量子点的物理效应 | 第12-13页 |
1.4.1 量子点尺寸效应 | 第12页 |
1.4.2 表面效应 | 第12页 |
1.4.3 介电限域效应 | 第12页 |
1.4.4 库仑阻塞效应 | 第12-13页 |
1.4.5 量子隧道效应 | 第13页 |
1.5 半导体量子点的应用 | 第13-14页 |
1.6 氧化锌的基本结构与性质 | 第14-15页 |
1.7 硒化镉基本结构与性质 | 第15页 |
1.8 碳纳米材料的简介 | 第15-16页 |
1.9 实验思路 | 第16页 |
1.10 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
第2章 低维碳纳米材料镶嵌量子点的制备及表征 | 第18-28页 |
2.1 引言 | 第18页 |
2.2 实验试剂和仪器装置 | 第18-20页 |
2.3 氧化锌/碳杂化纳米片制备 | 第20页 |
2.4 硒化镉/碳杂化纳米带制备 | 第20-21页 |
2.5 样品检测与分析 | 第21-27页 |
2.5.1 氧化锌/碳杂化纳米片物相分析 | 第21-23页 |
2.5.2 硒化镉/碳杂化纳米带物相分析 | 第23页 |
2.5.3 氧化锌/碳杂化纳米片的形貌与结构分析 | 第23-25页 |
2.5.4 硒化镉/碳杂化纳米带的形貌与结构分析 | 第25-27页 |
2.6 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 ZnO/C杂化纳米片的光电及压阻性能研究 | 第28-53页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 ZnO/C杂化纳米片电输运性能研究 | 第28-32页 |
3.2.1 电输运性能简介 | 第28-29页 |
3.2.2 场效应管制备 | 第29页 |
3.2.3 输出特性曲线分析 | 第29-30页 |
3.2.4 转移特性曲线分析 | 第30-32页 |
3.3 ZnO/C杂化纳米片光电性能探测 | 第32-45页 |
3.3.1 光电探测器件的组装 | 第32页 |
3.3.2 光电探测器性能分析 | 第32-45页 |
3.4 ZnO/C杂化纳米片压阻性能研究 | 第45-51页 |
3.4.1 压阻效应 | 第45页 |
3.4.2 压阻器件制备 | 第45-46页 |
3.4.3 压阻器件应变性能测试 | 第46-51页 |
3.5 本章小结 | 第51-53页 |
第4章 CdSe/C杂化纳米带的光电性能研究 | 第53-67页 |
4.1 引言 | 第53页 |
4.2 CdSe/C杂化纳米带电输运性能研究 | 第53-56页 |
4.2.1 场效应管制备 | 第53-54页 |
4.2.2 输出特性曲线分析 | 第54-55页 |
4.2.3 转移特性曲线分析 | 第55-56页 |
4.3 CdSe/C杂化纳米带光电性能探测 | 第56-66页 |
4.3.1 光电探测器件的组装 | 第56-57页 |
4.3.2 光电探测器性能分析 | 第57-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第5章 结论 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-75页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第75页 |