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量子点镶嵌碳杂化纳米材料的制备及其性能研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 引言第9-18页
    1.1 前言第9-10页
    1.2 半导体量子点基本概念第10页
    1.3 半导体量子点制备方法第10-12页
        1.3.1 化学气相沉积法第10页
        1.3.2 溶胶-凝胶法第10-11页
        1.3.3 模板合成法第11页
        1.3.4 化学溶液沉积法第11页
        1.3.5 低温燃烧合成法第11-12页
    1.4 半导体量子点的物理效应第12-13页
        1.4.1 量子点尺寸效应第12页
        1.4.2 表面效应第12页
        1.4.3 介电限域效应第12页
        1.4.4 库仑阻塞效应第12-13页
        1.4.5 量子隧道效应第13页
    1.5 半导体量子点的应用第13-14页
    1.6 氧化锌的基本结构与性质第14-15页
    1.7 硒化镉基本结构与性质第15页
    1.8 碳纳米材料的简介第15-16页
    1.9 实验思路第16页
    1.10 本论文的主要研究内容第16-18页
第2章 低维碳纳米材料镶嵌量子点的制备及表征第18-28页
    2.1 引言第18页
    2.2 实验试剂和仪器装置第18-20页
    2.3 氧化锌/碳杂化纳米片制备第20页
    2.4 硒化镉/碳杂化纳米带制备第20-21页
    2.5 样品检测与分析第21-27页
        2.5.1 氧化锌/碳杂化纳米片物相分析第21-23页
        2.5.2 硒化镉/碳杂化纳米带物相分析第23页
        2.5.3 氧化锌/碳杂化纳米片的形貌与结构分析第23-25页
        2.5.4 硒化镉/碳杂化纳米带的形貌与结构分析第25-27页
    2.6 本章小结第27-28页
第3章 ZnO/C杂化纳米片的光电及压阻性能研究第28-53页
    3.1 引言第28页
    3.2 ZnO/C杂化纳米片电输运性能研究第28-32页
        3.2.1 电输运性能简介第28-29页
        3.2.2 场效应管制备第29页
        3.2.3 输出特性曲线分析第29-30页
        3.2.4 转移特性曲线分析第30-32页
    3.3 ZnO/C杂化纳米片光电性能探测第32-45页
        3.3.1 光电探测器件的组装第32页
        3.3.2 光电探测器性能分析第32-45页
    3.4 ZnO/C杂化纳米片压阻性能研究第45-51页
        3.4.1 压阻效应第45页
        3.4.2 压阻器件制备第45-46页
        3.4.3 压阻器件应变性能测试第46-51页
    3.5 本章小结第51-53页
第4章 CdSe/C杂化纳米带的光电性能研究第53-67页
    4.1 引言第53页
    4.2 CdSe/C杂化纳米带电输运性能研究第53-56页
        4.2.1 场效应管制备第53-54页
        4.2.2 输出特性曲线分析第54-55页
        4.2.3 转移特性曲线分析第55-56页
    4.3 CdSe/C杂化纳米带光电性能探测第56-66页
        4.3.1 光电探测器件的组装第56-57页
        4.3.2 光电探测器性能分析第57-66页
    4.4 本章小结第66-67页
第5章 结论第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-75页
攻读学位期间的研究成果第75页

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