| 中文摘要 | 第14-16页 |
| Abstract | 第16-18页 |
| 第一章 绪论 | 第19-47页 |
| 1.1 引言 | 第19-22页 |
| 1.2 强场物理过程 | 第22-27页 |
| 1.2.1 强场电离 | 第22-23页 |
| 1.2.2 弹性散射与阈上电离（ATI） | 第23-25页 |
| 1.2.3 非弹性散射与非顺序双电离（NSDI） | 第25页 |
| 1.2.4 电子复合与高次谐波产生（HHG） | 第25-26页 |
| 1.2.5 定向电流与强场太赫兹辐射 | 第26-27页 |
| 1.2.6 强场里德堡态产生 | 第27页 |
| 1.3 研究方向和前沿 | 第27-34页 |
| 1.3.1 分子取向和定向效应 | 第28页 |
| 1.3.2 轨道极化效应 | 第28-29页 |
| 1.3.3 多通道或多轨道效应 | 第29-30页 |
| 1.3.4 电子交换关联效应 | 第30-31页 |
| 1.3.5 超快动力学探测 | 第31-33页 |
| 1.3.6 强场原子分子调控 | 第33-34页 |
| 1.4 理论研究现状 | 第34-45页 |
| 1.4.1 强场电离理论 | 第34-37页 |
| 1.4.2 高次谐波产生理论 | 第37-40页 |
| 1.4.3 第一原理方法 | 第40-45页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第45-47页 |
| 第二章 理论方法 | 第47-61页 |
| 2.1 理论基础 | 第47-51页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第47-48页 |
| 2.1.2 经典辐射场与原子分子相互作用的描述方法 | 第48-49页 |
| 2.1.3 激光电场常用的几种形式 | 第49-50页 |
| 2.1.4 Volkov态与强场近似 (SFA) | 第50-51页 |
| 2.2 理论模型方法 | 第51-55页 |
| 2.2.1 分子隧穿电离模型（MO-ADK） | 第51-52页 |
| 2.2.2 分子强场近似模型（MO-SFA） | 第52-54页 |
| 2.2.3 Lewenstein高次谐波理论 | 第54-55页 |
| 2.3 第一原理方法 | 第55-61页 |
| 2.3.1 含时薛定谔方程（TDSE） | 第55-56页 |
| 2.3.2 含时Hartree-Fock（TDHF） | 第56-58页 |
| 2.3.3 多组态含时Hartree-Fock（MCTDHF） | 第58-61页 |
| 第三章 基于量子化学的强场原子分子模型计算方法 | 第61-75页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 理论方法 | 第62-68页 |
| 3.2.1 坐标空间波函数 | 第62-65页 |
| 3.2.2 动量空间波函数 | 第65-66页 |
| 3.2.3 轨道偶极距 | 第66页 |
| 3.2.4 重叠积分及其它积分 | 第66-68页 |
| 3.3 强场模型计算 | 第68-74页 |
| 3.3.1 原子分子轨道示意图 | 第69-71页 |
| 3.3.2 由MO-ADK理论计算强场电离 | 第71-72页 |
| 3.3.3 由KFR理论计算强场电离 | 第72-73页 |
| 3.3.4 用Lewenstein模型计算高次谐波谱 | 第73-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 强激光场中单电子原子的里德堡态产生过程 | 第75-87页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 理论方法 | 第76-80页 |
| 4.2.1 氢原子单电子TDSE | 第76-78页 |
| 4.2.2 经典轨迹蒙特卡罗方法 (CTMC) | 第78-79页 |
| 4.2.3 计算细节及参数设置 | 第79-80页 |
| 4.3 库仑势和电子横向动量对于H原子里德堡态产生的影响 | 第80-82页 |
| 4.4 利用脉冲整形实现对H原子里德堡态产生的调控 | 第82-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 分子取向效应对于单电子双原子分子电子动力学的影响 | 第87-107页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 理论方法 | 第88-93页 |
| 5.2.1 双中心椭球坐标系 | 第88-89页 |
| 5.2.2 氢分子离子单电子本征值问题求解 | 第89-90页 |
| 5.2.3 基于分裂算符方法求解氢分子离子单电子TDSE | 第90-92页 |
| 5.2.4 计算细节及参数设置 | 第92-93页 |
| 5.3 分子取向效应对于H_2~+强场电离的影响 | 第93-99页 |
| 5.3.1 电离机制对于不同取向时电离几率比值的影响 | 第93-96页 |
| 5.3.2 不同电离机制下强场电离模型的适用性 | 第96-99页 |
| 5.4 线偏振激光场下H_2~+高椭偏率高次谐波产生 | 第99-104页 |
| 5.4.1 高次谐波谱椭偏度的计算 | 第99-100页 |
| 5.4.2 双中心干涉效应以及标准SFA模型的失效 | 第100-102页 |
| 5.4.3 库仑势以及Stark效应的影响 | 第102-104页 |
| 5.5 本章小结 | 第104-107页 |
| 第六章 内壳层电子动态极化以及多轨道效应对于双原子分子电子动力学的影响 | 第107-139页 |
| 6.1 引言 | 第107-108页 |
| 6.2 理论方法 | 第108-113页 |
| 6.2.1 有限元离散变量基（FE-DVR） | 第108-110页 |
| 6.2.2 动能积分 | 第110-111页 |
| 6.2.3 双电子库仑积分 | 第111-112页 |
| 6.2.4 Lanczos短时迭代（SIL）演化方法 | 第112-113页 |
| 6.2.5 物理量的计算 | 第113页 |
| 6.3 长周期激光场中H_2、CO分子电离几率随着取向角度的变化 | 第113-117页 |
| 6.3.1 由Hartree-Fock方法计算基态波函数 | 第113-115页 |
| 6.3.2 H_2分子强场电离几率随着取向角度的变化 | 第115-117页 |
| 6.3.3 CO分子强场电离几率随着取向角度的变化 | 第117页 |
| 6.4 内壳层电子动态极化效应对于CO分子强场电离的影响 | 第117-125页 |
| 6.4.1 计算细节及参数设置 | 第117-119页 |
| 6.4.2 全电子TDHF计算与实验结果的对比 | 第119-120页 |
| 6.4.3 内壳层电子动态极化势及其影响 | 第120-125页 |
| 6.5 动态轨道对于CO分子高次谐波产生的影响 | 第125-132页 |
| 6.5.1 定向效应对于高次谐波谱以及阿秒脉冲产生的影响 | 第126-127页 |
| 6.5.2 动态轨道对于电离和复合过程的影响 | 第127-129页 |
| 6.5.3 高次谐波谱中动态极小值的产生 | 第129-132页 |
| 6.6 多电子效应对于CO分子阿秒吸收谱的影响 | 第132-137页 |
| 6.6.1 阿秒吸收谱计算方法 | 第132-133页 |
| 6.6.2 阿秒吸收谱随着激光脉冲频率的变化 | 第133-134页 |
| 6.6.3 不同定向角度时多电子效应对于阿秒吸收谱的影响 | 第134-137页 |
| 6.7 本章小结 | 第137-139页 |
| 第七章 电子关联效应对于双原子分子电子动力学的影响 | 第139-153页 |
| 7.1 引言 | 第139-140页 |
| 7.2 MCTDHF方程求解 | 第140-142页 |
| 7.3 物理量计算 | 第142-144页 |
| 7.3.1 单电离几率 | 第142页 |
| 7.3.2 双电离几率 | 第142-143页 |
| 7.3.3 多电子偶极距 | 第143页 |
| 7.3.4 自然轨道 | 第143-144页 |
| 7.4 结果与讨论 | 第144-151页 |
| 7.4.1 电子关联对于基态分子总能量的影响 | 第144-147页 |
| 7.4.2 不同传播方法的对比以及电离几率的计算 | 第147-149页 |
| 7.4.3 电子关联效应对于H_2分子单电离以及双电离的不同影响 | 第149-150页 |
| 7.4.4 H_2分子电离几率随着取向角度的变化 | 第150-151页 |
| 7.5 本章小结 | 第151-153页 |
| 第八章 结论与展望 | 第153-157页 |
| 致谢 | 第157-159页 |
| 参考文献 | 第159-185页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第185-189页 |
| 附录A 原子单位制 | 第189-191页 |
| 附录B 程序SLIMP的介绍 | 第191-199页 |
| B.1 程序模块描述 | 第191-193页 |
| B.2 编译与使用说明 | 第193页 |
| B.3 输入参数描述 | 第193-196页 |
| B.4 程序运行命令 | 第196-199页 |
| 附录C 程序DMTDHF的介绍 | 第199-210页 |
| C.1 数值方法 | 第199-202页 |
| C.2 程序结构描述 | 第202-204页 |
| C.3 输入参数描述 | 第204-207页 |
| C.4 输出文件描述 | 第207-208页 |
| C.5 编译与使用说明 | 第208-209页 |
| C.6 程序运行命令 | 第209-210页 |
