| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-68页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 纳米光子学的理论基础及研究领域 | 第15-27页 |
| 1.2.1 理论基础 | 第15-19页 |
| 1.2.2 研究领域 | 第19-27页 |
| 1.3 目前多元硫族化合物半导体材料的研究进展和应用范围 | 第27-42页 |
| 1.3.1 多元硫化物半导体纳米材料的研究进展 | 第29-39页 |
| 1.3.2 多元氧化物半导体纳米材料的研究进展 | 第39-42页 |
| 1.4 多元硫族半导体纳米材料制备及表征 | 第42-49页 |
| 1.4.1 多元硫族半导体纳米材料的生长机理和形貌控制 | 第42-43页 |
| 1.4.2 多元硫族半导体纳米材料的制备方法 | 第43-47页 |
| 1.4.3 多元硫族半导体纳米材料的表征及光电性能测试 | 第47-49页 |
| 1.5 本论文的研究内容和意义 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-68页 |
| 第2章 多元Cu-Bi-S基半导体纳米材料的溶剂热法合成、表征及一维结构的可控生长 | 第68-87页 |
| 2.1 引言 | 第68-69页 |
| 2.2 实验部分 | 第69-71页 |
| 2.2.1 CuS纳米六角片的合成 | 第69-70页 |
| 2.2.2 Bi_2S_3纳米棒的合成 | 第70页 |
| 2.2.3 三元Cu_3Bi_3S_7纳米棒的合成 | 第70页 |
| 2.2.4 三元Cu_4Bi_4S_9纳米线的合成 | 第70-71页 |
| 2.2.5 三元Cu_4Bi_4S_9纳米带的合成 | 第71页 |
| 2.2.6 样品的表征仪器 | 第71页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第71-82页 |
| 2.3.1 CuS纳米六角片的形貌表征 | 第71-72页 |
| 2.3.2 Bi_2S_3纳米棒的形貌表征 | 第72-73页 |
| 2.3.3 Cu_3Bi_3S_7纳米棒的形貌与结构表征 | 第73-74页 |
| 2.3.4 三元Cu_4Bi_4S-9纳米线的形貌与结构表征 | 第74-75页 |
| 2.3.5 三元Cu_4Bi_4S_9纳米带的形貌与结构表征 | 第75-78页 |
| 2.3.6 三元Cu_4Bi_4S_9纳米带的长度可控合成 | 第78-82页 |
| 2.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 第3章 多元一维Cu-Bi-S半导体纳米材料的光电器件制备及性质研究 | 第87-109页 |
| 3.1 引言 | 第87-88页 |
| 3.2 实验部分 | 第88-90页 |
| 3.2.1 一维Cu-Bi-S纳米材料的光学及电化学性质测试 | 第88页 |
| 3.2.2 单根一维Cu-Bi-S纳米材料的器件制备 | 第88-89页 |
| 3.2.3 一维Cu-Bi-S纳米材料的PL测试系统搭设 | 第89页 |
| 3.2.4 Cu-Bi-S纳米材料能带结构的理论计算方法 | 第89页 |
| 3.2.5 一维Cu-Bi-S纳米材料的场发射器件制备 | 第89页 |
| 3.2.6 一维Cu-Bi-S纳米材料的光伏器件制备 | 第89-90页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第90-103页 |
| 3.3.1 一维Cu-Bi-S纳米材料的光学及电化学性质 | 第90-91页 |
| 3.3.2 一维Cu-Bi-S纳米材料的光电导性质 | 第91-93页 |
| 3.3.3 一维Cu-Bi-S纳米材料的电输运性质 | 第93-95页 |
| 3.3.4 一维Cu-Bi-S纳米材料的场发射性质 | 第95-98页 |
| 3.3.5 一维Cu-Bi-S纳米材料的近红外荧光性质 | 第98-99页 |
| 3.3.6 Cu-Bi-S纳米材料的能带结构计算 | 第99-101页 |
| 3.3.7 一维Cu-Bi-S纳米材料的光伏性质 | 第101-103页 |
| 3.4 本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-109页 |
| 第4章 溶剂热法合成Cu_3SbS_4纳米晶及其倒装混合太阳能电池应用 | 第109-127页 |
| 4.1 引言 | 第109-110页 |
| 4.2 实验部分 | 第110-112页 |
| 4.2.1 CAS纳米晶的合成 | 第110-111页 |
| 4.2.2 CAS纳米晶的表征 | 第111页 |
| 4.2.3 CAS纳米晶的光伏器件制备 | 第111-112页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第112-122页 |
| 4.3.1 CAS纳米晶的合成及表征 | 第112-113页 |
| 4.3.2 CAS纳米晶的光学和电化学性质 | 第113-115页 |
| 4.3.3 前驱体中硫源浓度对CAS纳米晶制备的影响 | 第115-117页 |
| 4.3.4 CAS纳米晶的组分可调性研究 | 第117-119页 |
| 4.3.5 倒装混合CAS纳米晶太阳能电池 | 第119-122页 |
| 4.4 本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第5章 溶剂热法合成Cu_2ZnSnS_4纳米晶及其溶液加工的太阳能电池研究 | 第127-142页 |
| 5.1. 引言 | 第127-128页 |
| 5.2 实验部分 | 第128-130页 |
| 5.2.1 CZTS纳米晶的合成 | 第128-129页 |
| 5.2.2 CZTS纳米晶的材料表征 | 第129页 |
| 5.2.3 CZTS纳米晶的器件制备 | 第129-130页 |
| 5.3 结果及讨论 | 第130-136页 |
| 5.3.1 CZTS纳米晶的表征 | 第130-131页 |
| 5.3.2 CZTS纳米晶的光学和电化学性质 | 第131-132页 |
| 5.3.3 CZTS纳米晶的生长机理 | 第132-133页 |
| 5.3.4 S源浓度和Sn源种类对最终CZTS纳米晶的影响 | 第133-134页 |
| 5.3.5 CZTS纳米晶基的太阳能电池制备及性能测试 | 第134-136页 |
| 5.4 本章小结 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-142页 |
| 结论 | 第142-145页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第145-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
