| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 纳米半导体材料的基本特性 | 第12-14页 |
| 1.3 制备纳米半导体材料的基本方法 | 第14-16页 |
| 1.4 纳米半导体材料的发展历程 | 第16-18页 |
| 1.5 InSb和GaSb材料的基本性质及其纳米线的研究进展 | 第18-23页 |
| 1.6 本文研究的内容、意义和组织结构 | 第23-24页 |
| 第2章 基本理论及计算方法 | 第24-34页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第24-27页 |
| 2.1.1 第一性原理方法概述 | 第24页 |
| 2.1.2 三种基本近似 | 第24-26页 |
| 2.1.3 VASP计算软件包简介 | 第26-27页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第27-32页 |
| 2.2.1 密度泛函理论简介 | 第27页 |
| 2.2.2 Hohenberg - Kohn定理：多体理论 | 第27页 |
| 2.2.3 Kohn - Sham方程：有效单体理论 | 第27-29页 |
| 2.2.4 自洽场计算 | 第29-30页 |
| 2.2.5 交换关联能泛函的求解 | 第30-32页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第32-34页 |
| 2.3.1 模守恒赝势 | 第32-33页 |
| 2.3.2 超软赝势 | 第33-34页 |
| 第3章 3d过渡金属掺杂纤锌矿结构InSb纳米线电子结构和磁性理论研究 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 计算模型及参数 | 第35页 |
| 3.3 计算结果及讨论 | 第35-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 GaSb纳米线电子结构特性的第一性原理研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 计算模型与参数 | 第44页 |
| 4.3 计算结果及讨论 | 第44-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第59-60页 |
| 附录B 攻读学位期间参与的基金项目目录 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
