| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| §1-1 人类照明的发展历史 | 第14-15页 |
| §1-2 GaN基LED的发展历史 | 第15-16页 |
| §1-3 LED中存在的问题 | 第16-18页 |
| §1-4 本论文的安排与研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN基LED的性质、制备和测试 | 第22-40页 |
| §2-1 GaN基半导体的基本性质 | 第22-27页 |
| §2-2 半导体中的光辐射过程 | 第27-29页 |
| §2-3 LED芯片的制备 | 第29-31页 |
| §2-4 LED的常用测试方法 | 第31-38页 |
| 2-4-1 光致发光谱及测试系统 | 第31-34页 |
| 2-4-2 电致发光谱及测试系统 | 第34-36页 |
| 2-4-3 拉曼光谱与测试系统 | 第36-38页 |
| §2-5 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 InGaN/GaN准超晶格下置层对LED光学特性的影响 | 第40-56页 |
| §3-1 样品结构与实验过程 | 第40-42页 |
| §3-2 样品测试结果与讨论 | 第42-49页 |
| 3-2-1 样品的PL谱特征 | 第42-43页 |
| 3-2-2 样品PL谱的激发功率依赖性 | 第43-45页 |
| 3-2-3 样品Raman测试结果分析 | 第45-47页 |
| 3-2-4 样品PL谱的温度依赖性 | 第47-48页 |
| 3-2-5 样品内量子效率的激发功率依赖性 | 第48-49页 |
| §3-3 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 第四章 低温p-GaN插入层对LED光电特性的影响 | 第56-70页 |
| §4-1 样品结构与实验过程 | 第57-58页 |
| §4-2 样品测试结果与讨论 | 第58-67页 |
| 4-2-1 样品EL测试结果 | 第58-59页 |
| 4-2-2 样品EL谱的注入电流依赖性 | 第59-60页 |
| 4-2-3 样品EL谱的温度依赖性 | 第60-61页 |
| 4-2-4 样品PL测试结果 | 第61-62页 |
| 4-2-5 样品能带模拟图 | 第62-63页 |
| 4-2-6 电子、空穴、复合效率模拟图 | 第63-64页 |
| 4-2-7 样品I-V特性曲线 | 第64-65页 |
| 4-2-8 样品输出功率特性曲线 | 第65-66页 |
| 4-2-9 样品归一化外量子效率图 | 第66-67页 |
| §4-3 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第70-72页 |
| §5-1 工作总结 | 第70-71页 |
| §5-2 工作展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 硕士期间发表学术论文目录 | 第74-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |