| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-38页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米材料的分类 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米材料的基本性能 | 第15-17页 |
| 1.3.1 基本物理效应 | 第15-16页 |
| 1.3.2 基本物理性质 | 第16-17页 |
| 1.4 二维层状材料 | 第17-26页 |
| 1.4.1 石墨烯 | 第19-20页 |
| 1.4.2 过渡金属硫化物 | 第20-23页 |
| 1.4.3 其他二维层状材料 | 第23-26页 |
| 1.5 二维层状材料制备方法 | 第26-28页 |
| 1.5.1 机械剥离法 | 第26-27页 |
| 1.5.2 化学气相沉积法 | 第27页 |
| 1.5.3 液相剥离法 | 第27-28页 |
| 1.6 带隙调控的概念与种类 | 第28-35页 |
| 1.6.1 单基片带隙调控 | 第29-33页 |
| 1.6.2 单纳米结构带隙调控 | 第33-35页 |
| 1.7 本论文的主要研究目的、意义和研究内容 | 第35-38页 |
| 1.7.1 研究目的与意义 | 第35-36页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 全组分及光学性能可调的MoS_(2x)Se2_((1-x))合金纳米片 | 第38-51页 |
| 2.1 研究背景与意义 | 第38-40页 |
| 2.2 实验细节 | 第40-43页 |
| 2.2.1 实验耗材与设备 | 第40-41页 |
| 2.2.2 MoS_(2x)Se2_((1-x))合金纳米片的制备 | 第41-42页 |
| 2.2.3 MoS_(2x)Se2_((1-x))合金纳米片的转移” | 第42-43页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 2.3.1 MoS_(2x)Se_(2(1-x))合金纳米片的微观结构表征 | 第43-46页 |
| 2.3.2 MoS_(2x)Se_(2(1-x))合金纳米片的拉曼光谱表征 | 第46-47页 |
| 2.3.3 MoS_(2x)Se_(2(1-x))合金纳米片的光致发光表征 | 第47-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 横向生长组分梯度变化的原子层厚度MoS_(2(1-x))Se_(2x)纳米片 | 第51-63页 |
| 3.1 研究背景与意义 | 第51-53页 |
| 3.2 实验细节 | 第53-54页 |
| 3.2.1 组分梯度变化合金纳米片的生长 | 第53-54页 |
| 3.2.2 组分梯度变化合金纳米片的光学表征 | 第54页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第54-61页 |
| 3.3.1 组分梯度变化合金纳米片的微观结构表征 | 第54-57页 |
| 3.3.2 组分梯度变化合金纳米片的光致发光表征 | 第57-60页 |
| 3.3.3 组分梯度变化合金纳米片的拉曼光谱表征 | 第60-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 通过选择性原子置换实现组分可调制的二维半导体横向异质结 | 第63-74页 |
| 4.1 研究背景与意义 | 第63-64页 |
| 4.2 实验细节 | 第64页 |
| 4.2.1 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的生长 | 第64页 |
| 4.2.2 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的微观结构和光学表征 | 第64页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第64-72页 |
| 4.3.1 单层与双层MoS_2纳米片置换差异对比 | 第64-67页 |
| 4.3.2 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的原理模型 | 第67页 |
| 4.3.3 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的微观结构表征 | 第67-69页 |
| 4.3.4 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的光致发光表征 | 第69-71页 |
| 4.3.5 MoS_2-MoS_(2(1-x))Se_(2x)横向异质结的拉曼光谱表征 | 第71-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 二维原子晶体中自催化应力驱动的原子置换 | 第74-93页 |
| 5.1 研究背景和意义 | 第74-75页 |
| 5.2 实验与理论模拟细节 | 第75-76页 |
| 5.2.1 实验细节 | 第75页 |
| 5.2.2 密度泛函理论计算 | 第75页 |
| 5.2.3 动力学蒙特卡罗模拟 | 第75-76页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第76-92页 |
| 5.3.1 置换反应后纳米片的光学及微观结构表征 | 第76-80页 |
| 5.3.2 置换机制的模拟计算 | 第80-85页 |
| 5.3.3 计算结果与实验结果的对比分析 | 第85-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 结论与展望 | 第93-96页 |
| 参考文献 | 第96-112页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第112-115页 |
| 附录B 攻读学位期间所发表的专利 | 第115-116页 |
| 附录C 攻读学位期间所获奖项 | 第116-117页 |
| 附录D 攻读学位期间所主要参与的研究项目 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
