| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 研究历史 | 第10-12页 |
| 1.3 InAs/GaSb 超晶格红外探测器研究现状 | 第12-17页 |
| 1.4 材料的优值 | 第17-18页 |
| 1.4.1 探测截止波长 | 第17页 |
| 1.4.2 响应率 | 第17页 |
| 1.4.3 量子效率 | 第17-18页 |
| 1.4.4 探测率 | 第18页 |
| 1.4.5 动态阻抗与探测面积乘积 R0A | 第18页 |
| 1.5 本文的研究目的、意义和主要研究内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 研究目的和意义 | 第18-19页 |
| 1.5.2 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 材料制备与分析、测试方法 | 第20-28页 |
| 2.1 材料生长设备（MBE） | 第20-23页 |
| 2.2 湿法刻蚀制备 pin 光伏型红外探测器 | 第23-24页 |
| 2.2.1 光刻机 | 第23页 |
| 2.2.2 台阶仪 | 第23-24页 |
| 2.3 测试分析设备 | 第24-28页 |
| 2.3.1 半导体测试仪 | 第24-26页 |
| 2.3.2 傅里叶红外光谱仪（FTIR） | 第26-27页 |
| 2.3.3 X 射线光电子能谱（XPS）仪 | 第27-28页 |
| 第3章 超晶格材料的能带设计 | 第28-36页 |
| 3.1 实验原理 | 第28-31页 |
| 3.2 实验结果 | 第31-34页 |
| 3.2.1 不同周期对截止波长的影响 | 第31页 |
| 3.2.2 不同周期厚度对截止波长的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 不同 GaSb/InAs 厚度比对吸收波长的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 InAs/GaSb 价带阶的确定 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 光伏型红外探测器的器件制作 | 第36-48页 |
| 4.1 pin 型器件工作机理 | 第36-37页 |
| 4.2 光伏型红外探测材料的 MBE 制备 | 第37-39页 |
| 4.3 器件制造过程 | 第39-47页 |
| 4.3.1 实验步骤 | 第39-40页 |
| 4.3.2 主要实验内容 | 第40-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 器件性能测试与分析 | 第48-64页 |
| 5.1 InAs/GaSb 超晶格光伏型红外探测器的电流-电压（I-V）特性 | 第48-55页 |
| 5.1.1 I-V 测试原理 | 第48-49页 |
| 5.1.2 器件的 I-V 测试结果与分析 | 第49-55页 |
| 5.2 器件的暗电流谱测试结果与分析 | 第55-57页 |
| 5.3 器件的 C-V 特性研究 | 第57-60页 |
| 5.3.1 pn 结的 C-V 特性测试原理 | 第57-58页 |
| 5.3.2 器件的 C-V 测试结果和分析 | 第58-60页 |
| 5.4 黑体辐射下器件的光电响应 | 第60-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
