| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 微弧氧化技术简介 | 第12-13页 |
| 1.2.1 微弧氧化的概念 | 第12页 |
| 1.2.2 微弧氧化技术特点 | 第12-13页 |
| 1.2.3 微弧氧化技术的应用 | 第13页 |
| 1.3 微弧氧化的发展历史与机理研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 微弧氧化的发展历史 | 第13-14页 |
| 1.3.2 微弧氧化的过程及机理研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.3 微弧氧化复合膜技术的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 本课题研究的意义及主要研究内容 | 第17-19页 |
| 1.4.1 本课题的研究意义 | 第17-18页 |
| 1.4.2 本课题研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 实验方法 | 第19-26页 |
| 2.1 实验材料及试剂 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第19页 |
| 2.1.2 实验试剂 | 第19-20页 |
| 2.2 实验装置 | 第20页 |
| 2.3 微弧氧化工艺流程 | 第20-24页 |
| 2.3.1 试样前处理 | 第20-21页 |
| 2.3.2 微弧氧化处理 | 第21-23页 |
| 2.3.3 试样后处理与退膜处理 | 第23-24页 |
| 2.4 膜层性能表征与检测方法 | 第24-26页 |
| 2.4.1 膜层厚度和粗糙度的测量 | 第24页 |
| 2.4.2 膜层形貌与元素分布 | 第24页 |
| 2.4.3 第二相颗粒相变判断 | 第24页 |
| 2.4.4 火花与熔池观察 | 第24页 |
| 2.4.5 TC4钛合金微弧氧化膜与基体的分离 | 第24-26页 |
| 第3章 熔池温度及熔池与火花的对应关系 | 第26-39页 |
| 3.1 前言 | 第26页 |
| 3.2 熔池温度的确定 | 第26-31页 |
| 3.2.1 γ-Al_2O_3与 κ-Al_2O_3相变 | 第26-27页 |
| 3.2.2 氧化锆相变 | 第27-29页 |
| 3.2.3 碳化硅的相变和分解 | 第29-31页 |
| 3.3 放电火花与熔池的对应关系 | 第31-37页 |
| 3.3.1 微弧氧化弧光变化 | 第31-33页 |
| 3.3.2 微弧氧化火花数量变化 | 第33-34页 |
| 3.3.3 火花击穿产生熔池 | 第34-35页 |
| 3.3.4 火花尺寸与熔池尺寸的对应关系 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 TC4钛合金微弧氧化膜生长方式 | 第39-56页 |
| 4.0 前言 | 第39页 |
| 4.1 微弧氧化膜生长的驱动力—电压 | 第39-43页 |
| 4.2 微弧氧化膜厚度与熔池尺寸的关系 | 第43-45页 |
| 4.3 熔池重组 | 第45-49页 |
| 4.3.1 膜层减薄对比法 | 第45-47页 |
| 4.3.2 膜层定点增厚对比法 | 第47页 |
| 4.3.3 ZrO_2和Al_2O_3第二相颗粒依次复合法 | 第47-49页 |
| 4.4 寻找放电通道 | 第49-55页 |
| 4.4.1 两种第二相颗粒依次复合法 | 第49-50页 |
| 4.4.2 在不同复合粒子体系中制备微弧氧化膜层 | 第50-52页 |
| 4.4.3 火花放电位置与贯穿基体 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 TC4钛合金微弧氧化成膜机理 | 第56-66页 |
| 5.1 前言 | 第56页 |
| 5.2 TC4钛合金微弧氧化膜成膜过程 | 第56-59页 |
| 5.3 微弧氧化膜层表面与膜基交界面形貌分析 | 第59-62页 |
| 5.4 定点逐层减薄观察法构建成膜模型 | 第62-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |