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铋系薄膜材料的电化学制备及其光催化性能的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-24页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 半导体材料光催化技术的基本情况第12-20页
        1.2.1 半导体材料光催化技术的基本原理第13-15页
        1.2.2 半导体材料性质对光催化活性的影响第15-16页
        1.2.3 半导体材料光催化性能增强与改性手段第16-20页
    1.3 Bi系光催化剂的研究现状第20-23页
        1.3.1 氧化铋催化剂第21页
        1.3.2 卤氧化铋催化剂第21页
        1.3.3 单质铋光催化剂第21-23页
    1.4 本论文研究的主要内容第23-24页
第二章 树枝状Bi/BiOBr薄膜的电化学合成和光催化性能第24-40页
    2.1 引言第24-25页
    2.2 实验部分第25-29页
        2.2.1 实验试剂第25页
        2.2.2 实验仪器第25-26页
        2.2.3 FTO的预处理第26页
        2.2.4 薄膜材料制备第26-27页
        2.2.5 样品的表征第27-28页
        2.2.6 吸附性能测试第28页
        2.2.7 光催化降解实验第28-29页
    2.3 结果与讨论第29-39页
        2.3.1 不同的Bi~(3+)制备的材料的XRD分析第29页
        2.3.2 不同的Bi~(3+)制备的材料的形貌分析第29-31页
        2.3.3 不同的Bi~(3+)离子浓度制备单质Bi的形貌分析第31-32页
        2.3.4 施加不同氧化电量制备的薄膜的XRD分析第32-33页
        2.3.5 施加不同电量的薄膜的形貌的分析第33-34页
        2.3.6 不同条件下制备的薄膜的紫外漫反射光谱分析第34-35页
        2.3.7 不同条件下制备的薄膜的光电流分析第35页
        2.3.8 不同条件下制备的薄膜的吸附性能分析第35-36页
        2.3.9 不同条件制备的薄膜的光催化性能分析第36-39页
    2.4 本章小结第39-40页
第三章 单质Bi薄膜的电化学合成和光催化性能第40-56页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 实验部分第41-44页
        3.2.1 实验试剂第41页
        3.2.2 实验仪器第41-42页
        3.2.3 FTO的预处理第42页
        3.2.4 单质Bi的制备第42页
        3.2.5 样品的表征第42-43页
        3.2.6 吸附性能测试第43页
        3.2.7 光催化降解实验第43-44页
    3.3 结果与讨论第44-55页
        3.3.1 不同条件下制备的铋单质的XRD分析第44-45页
        3.3.2 不同条件下制备的单质Bi薄膜的形貌分析第45-47页
        3.3.3 不同条件下制备的单质Bi薄膜的紫外漫反射分析第47-48页
        3.3.4 不同条件下制备的单质Bi薄膜的吸附性能分析第48-49页
        3.3.5 不同条件下制备的单质Bi薄膜的光催化效果分析第49-50页
        3.3.6 单质Bi薄膜的光催化机理分析第50-55页
    3.4 本章小结第55-56页
第四章 两步法制备BiOCl/Bi OI薄膜及其光催化性能的研究第56-69页
    4.1 引言第56-57页
    4.2 实验部分第57-60页
        4.2.1 实验试剂第57页
        4.2.2 实验仪器第57-58页
        4.2.3 材料的制备第58页
        4.2.4 样品的表征第58-59页
        4.2.5 吸附性能测试第59页
        4.2.6 光催化降解实验第59-60页
    4.3 结果与讨论第60-67页
        4.3.1 不同薄膜的XRD分析第60-61页
        4.3.2 不同薄膜的形貌分析第61-62页
        4.3.3 不同薄膜的漫反射分析第62-63页
        4.3.4 不同薄膜的吸附性能分析第63-64页
        4.3.5 不同薄膜的光催化性能分析第64-65页
        4.3.6 BiOCl/Bi OI复合材料的光催化机理分析第65-67页
    4.4 本章小结第67-69页
第五章 总结与展望第69-71页
    5.1 总结第69-70页
    5.2 展望第70-71页
参考文献第71-78页
致谢第78-79页

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