中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第10-32页 |
1.1 研究背景 | 第10-12页 |
1.2 常用等离子体的诊断方法 | 第12-14页 |
1.2.1 朗缪尔探针诊断 | 第12-13页 |
1.2.2 光谱诊断 | 第13页 |
1.2.3 质谱诊断 | 第13-14页 |
1.3 低温等离子体在材料加工中的应用 | 第14-18页 |
1.3.1 等离子体辅助制备薄膜材料 | 第14-16页 |
1.3.2 等离子体对材料表面改性 | 第16-17页 |
1.3.3 等离子体刻蚀 | 第17-18页 |
1.4 SiON薄层简介 | 第18-19页 |
1.5 类金刚石薄膜介绍 | 第19-24页 |
1.5.1 类金刚石薄膜简介 | 第19-20页 |
1.5.2 类金刚石薄膜制备技术 | 第20-22页 |
1.5.3 类金刚石薄膜的结构 | 第22-24页 |
1.6 本论文主要研究内容 | 第24-25页 |
参考文献 | 第25-32页 |
第二章 螺旋波的实验装置和样品的表征方法 | 第32-44页 |
2.1 放电实验装置 | 第32-35页 |
2.2 诊断装置 | 第35-38页 |
2.2.1 朗缪尔探针 | 第35-36页 |
2.2.2 发射光谱 | 第36-37页 |
2.2.3 质谱能谱分析仪(EQP) | 第37-38页 |
2.3 材料表征方法 | 第38-43页 |
2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第38-39页 |
2.3.2 原子力显微镜(AFM)分析 | 第39-40页 |
2.3.3 拉曼(Raman)分析 | 第40页 |
2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第40-41页 |
2.3.5 水接触角分析 | 第41-43页 |
参考文献 | 第43-44页 |
第三章 Ar/N_2螺旋波放电诊断及SiON薄层制备 | 第44-62页 |
3.1 Ar/N_2螺旋波放电等离子体性能诊断分析 | 第44-53页 |
3.1.1 探针诊断 | 第45-47页 |
3.1.2 发射光谱分析 | 第47-50页 |
3.1.3 质谱能谱仪分析 | 第50-53页 |
3.2 Ar/N_2螺旋波等离子体制备SiON薄层 | 第53-59页 |
3.2.1 SiON薄层的制备 | 第53页 |
3.2.2 SiON薄层的表征 | 第53-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |
第四章 Ar/CH_4螺旋波等离子体制备类金刚石薄膜 | 第62-75页 |
4.1 Ar/CH_4螺旋波制备类金刚石薄膜及其表征 | 第62-68页 |
4.1.1 类金刚石薄膜的制备 | 第62页 |
4.1.2 Raman 分析 | 第62-64页 |
4.1.3 SEM分析 | 第64-67页 |
4.1.4 AFM分析 | 第67-68页 |
4.2 Ar/CH_4螺旋波放电诊断分析 | 第68-73页 |
4.2.1 发射光谱分析 | 第69-72页 |
4.2.2 探针分析 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-75页 |
第五章 总结 | 第75-77页 |
攻读硕士期间公开发表的论文及科研成果 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-80页 |