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螺旋波等离子体的放电特性及类金刚石薄膜的制备研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 引言第10-32页
    1.1 研究背景第10-12页
    1.2 常用等离子体的诊断方法第12-14页
        1.2.1 朗缪尔探针诊断第12-13页
        1.2.2 光谱诊断第13页
        1.2.3 质谱诊断第13-14页
    1.3 低温等离子体在材料加工中的应用第14-18页
        1.3.1 等离子体辅助制备薄膜材料第14-16页
        1.3.2 等离子体对材料表面改性第16-17页
        1.3.3 等离子体刻蚀第17-18页
    1.4 SiON薄层简介第18-19页
    1.5 类金刚石薄膜介绍第19-24页
        1.5.1 类金刚石薄膜简介第19-20页
        1.5.2 类金刚石薄膜制备技术第20-22页
        1.5.3 类金刚石薄膜的结构第22-24页
    1.6 本论文主要研究内容第24-25页
    参考文献第25-32页
第二章 螺旋波的实验装置和样品的表征方法第32-44页
    2.1 放电实验装置第32-35页
    2.2 诊断装置第35-38页
        2.2.1 朗缪尔探针第35-36页
        2.2.2 发射光谱第36-37页
        2.2.3 质谱能谱分析仪(EQP)第37-38页
    2.3 材料表征方法第38-43页
        2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)分析第38-39页
        2.3.2 原子力显微镜(AFM)分析第39-40页
        2.3.3 拉曼(Raman)分析第40页
        2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)分析第40-41页
        2.3.5 水接触角分析第41-43页
    参考文献第43-44页
第三章 Ar/N_2螺旋波放电诊断及SiON薄层制备第44-62页
    3.1 Ar/N_2螺旋波放电等离子体性能诊断分析第44-53页
        3.1.1 探针诊断第45-47页
        3.1.2 发射光谱分析第47-50页
        3.1.3 质谱能谱仪分析第50-53页
    3.2 Ar/N_2螺旋波等离子体制备SiON薄层第53-59页
        3.2.1 SiON薄层的制备第53页
        3.2.2 SiON薄层的表征第53-59页
    参考文献第59-62页
第四章 Ar/CH_4螺旋波等离子体制备类金刚石薄膜第62-75页
    4.1 Ar/CH_4螺旋波制备类金刚石薄膜及其表征第62-68页
        4.1.1 类金刚石薄膜的制备第62页
        4.1.2 Raman 分析第62-64页
        4.1.3 SEM分析第64-67页
        4.1.4 AFM分析第67-68页
    4.2 Ar/CH_4螺旋波放电诊断分析第68-73页
        4.2.1 发射光谱分析第69-72页
        4.2.2 探针分析第72-73页
    参考文献第73-75页
第五章 总结第75-77页
攻读硕士期间公开发表的论文及科研成果第77-78页
致谢第78-80页

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