| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第13-15页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料特性及基本参数 | 第15-21页 |
| 1.2.1 GaN基材料晶体结构及基本参数 | 第15-17页 |
| 1.2.2 AlGaN三元化合物基本特性 | 第17-18页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物材料中的缺陷 | 第18-19页 |
| 1.2.4 Ⅲ族氮化物材料中的极化效应 | 第19-21页 |
| 1.3 AlGaN基紫外LED简介 | 第21-23页 |
| 1.3.1 AlGaN基紫外LED国内外研究现状 | 第21-22页 |
| 1.3.2 AlGaN基紫外LED存在的主要问题 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-29页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物薄膜的生长与表征方法 | 第29-43页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 Ⅲ族氮化物薄膜的生长技术 | 第29-34页 |
| 2.2.1 MOCVD系统简介 | 第29-32页 |
| 2.2.2 MOCVD制备技术原理及影响因素 | 第32-33页 |
| 2.2.3 MOCVD材料生长中的衬底选择 | 第33-34页 |
| 2.3 Ⅲ族氮化物薄膜的表征方法 | 第34-41页 |
| 2.3.1 高分辨X射线衍射 | 第34-35页 |
| 2.3.2 场发射扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| 2.3.3 紫外-可见分光光度计 | 第36页 |
| 2.3.4 Raman光谱 | 第36-37页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 | 第37-39页 |
| 2.3.6 光致发光光谱 | 第39-40页 |
| 2.3.7 同步辐射X射线衍射 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 AlGaN薄膜制备及微结构分析 | 第43-75页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 高温AlN缓冲层对AlGaN薄膜性能的影响 | 第43-49页 |
| 3.2.1 高温AlN缓冲层对AlGaN薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.2 高温AlN缓冲层对AlGaN薄膜结晶质量的影响 | 第46-49页 |
| 3.3 AlGaN薄膜晶格畸变及应变分析 | 第49-54页 |
| 3.3.1 AlGaN薄膜晶格畸变分析 | 第49-51页 |
| 3.3.2 AlGaN薄膜应变分析 | 第51-54页 |
| 3.4 AlGaN薄膜光学特性研究 | 第54-59页 |
| 3.4.1 AlGaN薄膜光学特性 | 第54-55页 |
| 3.4.2 AlGaN薄膜光致发光特性 | 第55-59页 |
| 3.5 AlGaN薄膜电子结构的同步辐射研究 | 第59-65页 |
| 3.5.1 AlGaN薄膜X射线吸收精细结构光谱XAFS分析 | 第60-61页 |
| 3.5.2 AlGaN薄膜X射线吸收近边结构光谱XANES分析 | 第61-63页 |
| 3.5.3 AlGaN薄膜延长的X射线吸收精细结构光谱EXAFS分析 | 第63-65页 |
| 3.6 AlGaN薄膜表面化学态的X射线光电子能谱研究 | 第65-70页 |
| 3.6.1 Ga 3d光电子能谱分析 | 第66-68页 |
| 3.6.2 Al 2p光电子能谱分析 | 第68-69页 |
| 3.6.3 N 1s光电子能谱分析 | 第69-70页 |
| 3.7 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 第四章 AlInGaN四元薄膜制备及特性研究 | 第75-91页 |
| 4.1 引言 | 第75-77页 |
| 4.2 AlInGaN四元薄膜制备 | 第77-78页 |
| 4.3 工艺条件对AlInGaN四元薄膜的影响 | 第78-85页 |
| 4.3.1 生长温度对AlInGaN四元薄膜的影响 | 第78-80页 |
| 4.3.2 生长压力对AlInGaN四元薄膜的影响 | 第80-82页 |
| 4.3.3 Al/In摩尔比对AlInGaN薄膜质量的影响 | 第82-85页 |
| 4.4 AlInGaN薄膜光致发光特性分析 | 第85-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-91页 |
| 第五章 AlGaN/GaN多量子阱外延生长研究 | 第91-105页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 AlGaN/GaN多量子阱制备 | 第92-95页 |
| 5.3 AlGaN/GaN多量子阱的微结构分析 | 第95-102页 |
| 5.3.1 晶体质量分析 | 第95-98页 |
| 5.3.2 界面质量分析 | 第98-100页 |
| 5.3.3 光致发光特性分析 | 第100-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第六章 半极性与非极性GaN基材料的生长及特性分析 | 第105-119页 |
| 6.1 半极性非极性GaN基材料的研究背景 | 第105-106页 |
| 6.2 GaN材料的生长及分析 | 第106-112页 |
| 6.2.1 A面蓝宝石衬底上GaN材料的生长 | 第106-108页 |
| 6.2.2 M面蓝宝石衬底上GaN材料的生长 | 第108-110页 |
| 6.2.3 R面蓝宝石衬底上GaN材料的生长 | 第110-112页 |
| 6.3 AlGaN材料的生长及分析 | 第112-117页 |
| 6.4 本章总结 | 第117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第七章 GaN基LED中电子阻挡层的设计 | 第119-133页 |
| 7.1 引言 | 第119-120页 |
| 7.2 APSYS仿真软件简介 | 第120-121页 |
| 7.3 理论基础 | 第121-123页 |
| 7.3.1 异质结界面能带偏移理论 | 第121-122页 |
| 7.3.2 量子效应理论 | 第122页 |
| 7.3.3 泊松方程自洽算法介绍 | 第122-123页 |
| 7.4 不同电子阻挡层结构的GaN基LED光电性能比较 | 第123-130页 |
| 7.4.1 建立模型与设置参数 | 第123-125页 |
| 7.4.2 LED器件光电性能比较 | 第125-130页 |
| 7.5 本章小结 | 第130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第八章 总结与展望 | 第133-137页 |
| 8.1 全文工作总结 | 第133-135页 |
| 8.2 未来工作展望 | 第135-137页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139页 |
