致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
1 引言 | 第13-16页 |
2 背景综述 | 第16-52页 |
2.1 磁各向异性 | 第16-22页 |
2.1.1 磁晶各向异性 | 第16-19页 |
2.1.2 形状磁各向异性 | 第19-20页 |
2.1.3 感生磁各向异性 | 第20页 |
2.1.4 磁弹各向异性 | 第20页 |
2.1.5 交换磁各向异性 | 第20-21页 |
2.1.6 界面磁各向异性 | 第21-22页 |
2.2 铁磁/非磁金属多层膜的界面垂直磁各向异性 | 第22-27页 |
2.2.1 研究概况 | 第22-26页 |
2.2.2 铁磁/非磁金属界面垂直磁各向异性的来源 | 第26-27页 |
2.3 铁磁/氧化物多层膜的界面垂直磁各向异性 | 第27-33页 |
2.3.1 研究概况 | 第27-30页 |
2.3.2 铁磁/氧化物界面垂直磁各向异性的来源 | 第30-33页 |
2.4 影响界面垂直磁各向异性的因素 | 第33-36页 |
2.4.1 铁磁层厚度 | 第33-34页 |
2.4.2 非磁金属层、氧化物层以及缓冲层厚度 | 第34页 |
2.4.3 退火处理 | 第34-35页 |
2.4.4 缓冲层材料 | 第35页 |
2.4.5 铁磁层成分 | 第35页 |
2.4.6 外加电场 | 第35-36页 |
2.4.7 外加应力 | 第36页 |
2.5 有效磁各向异性能及其测定 | 第36-39页 |
2.6 铁磁/反铁磁体系的交换偏置效应 | 第39-43页 |
2.6.1 交换偏置的唯像理解 | 第39-41页 |
2.6.2 交换偏置的截止温度和锻炼效应 | 第41-42页 |
2.6.3 影响交换偏置的因素 | 第42页 |
2.6.4 存在交换偏置效应的体系 | 第42-43页 |
2.7 纳米磁性薄膜材料与自旋电子学 | 第43-51页 |
2.7.1 自旋电子学发展简介 | 第43-46页 |
2.7.2 磁电阻效应 | 第46-51页 |
2.8 本论文研究动机 | 第51-52页 |
3 薄膜制备及表征方法 | 第52-57页 |
3.1 薄膜制备过程 | 第52-53页 |
3.1.1 基片清洗 | 第52页 |
3.1.2 薄膜的制备 | 第52页 |
3.1.3 退火系统 | 第52-53页 |
3.2 薄膜样品磁性的测量及结构表征方法 | 第53-57页 |
3.2.1 振动样品磁强计 | 第53页 |
3.2.2 X射线光电子能谱 | 第53-55页 |
3.2.3 高分辨透射电子显微镜 | 第55-56页 |
3.2.4 铁磁共振 | 第56-57页 |
4 Ta/CoFeB/MgO多层膜界面电子结构调控的磁各向异性 | 第57-71页 |
4.1 引言 | 第57-58页 |
4.2 实验方法 | 第58-60页 |
4.3 实验结果和讨论 | 第60-70页 |
4.4 小结 | 第70-71页 |
5 Pt/NiFe/IrMn/MgO/Pt多层膜界面电子结构调控增强的Blocking温度和交换偏置 | 第71-84页 |
5.1 引言 | 第71-73页 |
5.2 实验方法 | 第73-74页 |
5.3 实验结果和讨论 | 第74-83页 |
5.4 小结 | 第83-84页 |
6 界面掺杂Fe原子调控Co/Pt多层膜的垂直磁各向异性 | 第84-91页 |
6.1 引言 | 第84-85页 |
6.2 实验方法 | 第85页 |
6.3 实验结果和讨论 | 第85-90页 |
6.4 小结 | 第90-91页 |
7 Co/Ni多层膜中Pt插层增强的垂直磁各向异性及其退火稳定性 | 第91-97页 |
7.1 引言 | 第91页 |
7.2 实验方法 | 第91-92页 |
7.3 实验结果和讨论 | 第92-96页 |
7.4 小结 | 第96-97页 |
8 界面氧迁移及其对Pt/Co/MgO(SiO_2)/Pt多层膜磁各向异性的影响 | 第97-105页 |
8.1 引言 | 第97页 |
8.2 实验方法 | 第97-98页 |
8.3 实验结果和讨论 | 第98-104页 |
8.4 小结 | 第104-105页 |
9 结论和展望 | 第105-109页 |
9.1 结论 | 第105-106页 |
9.2 展望 | 第106-109页 |
参考文献 | 第109-130页 |
作者简历及在学研究成果 | 第130-135页 |
学位论文数据集 | 第135页 |