| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 Ga_2O_3薄膜的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3薄膜概述 | 第10-12页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3薄膜的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.3 Ga_2O_3薄膜的应用及其研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 Ga_2O_3作紫外探测器及其研究进展 | 第14-16页 |
| 1.3.2 Ga_2O_3作GaN缓冲层及其研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 薄膜的制备与表征方法 | 第20-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验设备与检测仪器 | 第20-21页 |
| 2.2 Ga_2O_3薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.1 磁控溅射装置及原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 磁控溅射的操作流程 | 第22-23页 |
| 2.3 Ga_2O_3基紫外探测器的制备方法 | 第23页 |
| 2.4 GaN薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| 2.5 样品的结构和性能表征方法 | 第24-26页 |
| 2.5.1 样品结构成分和厚度分析 | 第25页 |
| 2.5.2 样品表面形貌和粗糙度分析 | 第25-26页 |
| 2.5.3 样品性能分析 | 第26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 基于SiC衬底的Ga_2O_3薄膜的制备及其探测器应用研究 | 第27-47页 |
| 3.1 射频功率对所制备的Ga_2O_3薄膜的影响 | 第27-30页 |
| 3.1.1 射频功率对氧化镓薄膜沉积速率的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.2 射频功率对氧化镓薄膜结构的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.3 射频功率对氧化镓薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.2 溅射气压对所制备的Ga_2O_3薄膜的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 溅射气压对氧化镓薄膜沉积速率的影响 | 第31页 |
| 3.2.2 溅射气压对氧化镓薄膜结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 溅射气压对氧化镓薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 薄膜厚度对所制备的Ga_2O_3薄膜的影响 | 第33页 |
| 3.4 退火温度对所制备的Ga_2O_3薄膜的影响 | 第33-38页 |
| 3.4.1 退火温度对氧化镓薄膜结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.2 退火温度对氧化镓薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 退火温度对氧化镓薄膜化学结构的影响 | 第36-38页 |
| 3.5 Ga_2O_3基MSM型紫外探测器的性能研究 | 第38-46页 |
| 3.5.1 MSM型紫外探测器的制备 | 第38-39页 |
| 3.5.2 紫外探测器的性能研究 | 第39-42页 |
| 3.5.3 退火对紫外探测器性能的影响 | 第42-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 基于蓝宝石衬底的Ga_2O_3薄膜制备及其为GaN缓冲层的研究 | 第47-58页 |
| 4.1 基于蓝宝石衬底的Ga_2O_3薄膜的退火研究 | 第47-52页 |
| 4.1.1 退火温度对氧化镓薄膜晶体结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.2 退火温度对氧化镓薄膜表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.1.3 退火温度对氧化镓薄膜表面化学成分的影响 | 第50-51页 |
| 4.1.4 退火温度对氧化镓薄膜吸收光谱的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 基于Ga_2O_3薄膜缓冲层的GaN薄膜制备及分析 | 第52-57页 |
| 4.2.1 GaN薄膜的制备 | 第52-53页 |
| 4.2.2 GaN薄膜的表面形貌分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 GaN薄膜的结构分析 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
