| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 固态照明与节能 | 第14-15页 |
| 1.2 LED的发展简史 | 第15-18页 |
| 1.2.1 早期LED发展历程 | 第16页 |
| 1.2.2 GaN基LED发展历程 | 第16-17页 |
| 1.2.3 白光LED的实现 | 第17-18页 |
| 1.3 GaN基LED面临的问题 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 GaN基LED材料的基本性质 | 第24-30页 |
| 2.1 GaN基材料的基本性质 | 第24-26页 |
| 2.1.1 晶格结构 | 第25页 |
| 2.1.2 能带结构 | 第25-26页 |
| 2.2 InGaN/GaN MQWs中的极化现象 | 第26-28页 |
| 2.2.1 InGaN/GaN MQWs中的自发极化和压电极化 | 第26-27页 |
| 2.2.2 量子限制斯塔克效应 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 GaN基LED的制备与光致发光测试 | 第30-38页 |
| 3.1 GaN基半导体材料的外延生长 | 第30-32页 |
| 3.1.1 氢化物气相外延 | 第30页 |
| 3.1.2 分子束外延 | 第30-31页 |
| 3.1.3 金属有机化合物化学气相沉积 | 第31-32页 |
| 3.2 InGaN/GaN MQWs基LED的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.1 InGaN/GaN MQWs基LED的外延生长 | 第32-33页 |
| 3.2.2 InGaN/GaN MQWs基LED的封装工艺 | 第33页 |
| 3.3 InGaN/GaN MQWs基LED光致发光测试 | 第33-37页 |
| 3.3.1 PL测试系统组成 | 第34-36页 |
| 3.3.2 PL测试光路 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 沿生长方向逐渐改变In组分的InGaN/GaN多量子阱结构的光学特性 | 第38-54页 |
| 4.1 样品结构及实验设备 | 第39-40页 |
| 4.2 实验结果与分析讨论 | 第40-49页 |
| 4.2.1 样品PL光谱 | 第40-41页 |
| 4.2.2 PL谱峰位能量和半高宽的激发功率依赖性 | 第41-43页 |
| 4.2.3 PL谱峰位能量和半高宽的温度依赖性 | 第43-47页 |
| 4.2.4 两样品内量子效率(IQEs)比较 | 第47-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第五章 InGaN阱层生长方式不同的三种InGaN/GaN多量子阱结构发光效率研究 | 第54-62页 |
| 5.1 样品结构及实验设备 | 第55-56页 |
| 5.2 实验结果与分析讨论 | 第56-59页 |
| 5.2.1 三样品PL光谱和峰位能量的温度依赖性 | 第56-58页 |
| 5.2.2 三样品内量子效率的激发功率依赖性 | 第58-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 6.2 未来展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第65页 |
