| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外的研究现状及分析 | 第9-12页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物材料特性 | 第12-16页 |
| 1.3.1 GaN 材料的极化效应 | 第12-14页 |
| 1.3.2 光学与电学特性 | 第14-16页 |
| 1.4 课题主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 GaN/AlGaN 量子阱能带结构设计与仿真 | 第17-32页 |
| 2.1 单个 GaN/AlGaN 量子阱中的子带吸收 | 第17-23页 |
| 2.2 GaN/AlGaN 量子阱结构子带跃迁计算 | 第23-29页 |
| 2.2.1 Crosslight 软件的使用 | 第23-25页 |
| 2.2.2 GaN/AlGaN 量子阱中的子带跃迁 | 第25-29页 |
| 2.3 中红外 GaN/AlGaN 量子阱结构设计 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 GaN/AlGaN 量子阱结构的表征 | 第32-49页 |
| 3.1 高分辨 X 射线衍射 | 第32-38页 |
| 3.2 光致发光 | 第38-43页 |
| 3.3 激光共聚焦拉曼 | 第43-45页 |
| 3.4 红外吸收(透射)谱 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 GaN/AlGaN 红外探测器的测试 | 第49-56页 |
| 4.1 光导型 GaN/AlGaN 量子阱红外探测器的制备 | 第49-52页 |
| 4.2 红外探测器的光电流测试 | 第52-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
