| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 光伏产业的机遇 | 第12页 |
| 1.2 晶体硅电池产业链介绍 | 第12-13页 |
| 1.3 晶体硅太阳电池片生产工艺 | 第13页 |
| 1.4 晶体硅电池组件生产工艺 | 第13-14页 |
| 1.5 晶体硅电池及其工艺简介 | 第14-16页 |
| 1.5.1 制绒 | 第14页 |
| 1.5.2 扩散 | 第14页 |
| 1.5.3 刻蚀 | 第14页 |
| 1.5.4 去磷硅玻璃 | 第14-15页 |
| 1.5.5 减反层沉积 | 第15页 |
| 1.5.6 丝网印刷 | 第15页 |
| 1.5.7 烧结 | 第15-16页 |
| 1.5.8 测试分选 | 第16页 |
| 1.6 晶体硅太阳能电池技术简介 | 第16-22页 |
| 1.6.1 常规铝背电场丝网印刷电池 | 第16页 |
| 1.6.2 钝化发射极背部局域扩散-PERL(UNSW) | 第16-17页 |
| 1.6.3 HIT 电池(Sanyo) | 第17页 |
| 1.6.4 SunPower 背接触电池 | 第17-18页 |
| 1.6.5 ECN 的 N 型 PASHA 双面电池技术 | 第18-19页 |
| 1.6.6 激光刻槽埋栅电池 | 第19页 |
| 1.6.7 选择性发射极电池 | 第19-21页 |
| 1.6.8 背电场钝化技术 | 第21页 |
| 1.6.9 MWT 电池 | 第21-22页 |
| 1.7 太阳电池结构、原理及参数 | 第22-25页 |
| 1.7.1 太阳电池的基本结构和光伏效应 | 第22页 |
| 1.7.2 光电流 | 第22-23页 |
| 1.7.3 光电压 | 第23-24页 |
| 1.7.4 太阳电池的等效电路和伏安特性曲线 | 第24-25页 |
| 1.7.5 填充因子 | 第25页 |
| 1.7.6 太阳电池光电转换效率 | 第25页 |
| 1.8 光伏产业的危机原因 | 第25-27页 |
| 1.8.1 疯狂投资产能过剩 | 第25-26页 |
| 1.8.2 产品销售过于依赖出口 | 第26-27页 |
| 1.8.3 美国双反 | 第27页 |
| 1.8.4 欧洲双反 | 第27页 |
| 1.9 晶体硅太阳能电池功率损耗研究的意义 | 第27-28页 |
| 1.9.1 优化组件设计 | 第27页 |
| 1.9.2 优化电池工艺 | 第27-28页 |
| 1.10 本文研究的主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 太阳能电池组件封装功率损失分析 | 第29-43页 |
| 2.1 组件的封装工艺、结构及功率损失 | 第29-30页 |
| 2.1.2 组件的封装功率损失 | 第29-30页 |
| 2.1.3 组件的运行功率损失 | 第30页 |
| 2.2 组件的光学损失 | 第30-35页 |
| 2.2.1 组件光学损失理论分析 | 第30-31页 |
| 2.2.2 钢化玻璃对封装功率的影响 | 第31-32页 |
| 2.2.3 EVA 对封装功率的影响 | 第32-33页 |
| 2.2.4 电池片光谱响应对封装功率的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.5 背板对封装功率的影响 | 第34-35页 |
| 2.3 组件的电学损失 | 第35-39页 |
| 2.3.2 电池片串联失配损失 | 第35-36页 |
| 2.3.3 汇流条电阻损失 | 第36页 |
| 2.3.4 互联条电阻损失 | 第36-37页 |
| 2.3.5 互联条与电池片的接触电阻损失 | 第37-38页 |
| 2.3.6 接线盒电阻损失 | 第38-39页 |
| 2.4 组件电学功率损失讨论 | 第39-40页 |
| 2.5 电池片串联电阻对组件功率的影响 | 第40-41页 |
| 2.6 减少组件封装功率损耗的方法 | 第41-42页 |
| 2.6.1 提高光学增益 | 第41页 |
| 2.6.2 降低电学损失 | 第41-42页 |
| 2.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 电池片输出功率损失分析 | 第43-52页 |
| 3.1 影响电池片输出功率的主要因素 | 第43-45页 |
| 3.1.1 影响转换效率的光学因素 | 第43页 |
| 3.1.2 影响转换效率的电学因素 | 第43-45页 |
| 3.1.3 光学因素与电学因素的相互关系 | 第45页 |
| 3.2 串联电阻的测试方法综述 | 第45-51页 |
| 3.2.1 开路电压斜率法 | 第46页 |
| 3.2.2 双光强特性曲线测量法 | 第46-47页 |
| 3.2.3 明暗特性曲线比较法 | 第47页 |
| 3.2.4 电注入法 | 第47-48页 |
| 3.2.5 最大功率点法 | 第48-49页 |
| 3.2.6 单条 I-V 曲线两点法 | 第49-50页 |
| 3.2.7 Lambert W 函数求解法 | 第50-51页 |
| 3.3 温度对串联电阻的影响 | 第51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 太阳能电池串联电阻的组成及各分阻的计算 | 第52-73页 |
| 4.1 太阳能电池片串联电阻的组成及分布 | 第52页 |
| 4.2 电池片各个分阻的计算 | 第52-57页 |
| 4.2.1 体电阻的计算 | 第52-53页 |
| 4.2.2 表面薄层电阻的计算 | 第53页 |
| 4.2.3 细栅线电阻的计算 | 第53-54页 |
| 4.2.4 主栅线电阻的计算 | 第54-55页 |
| 4.2.5 接触电阻的计算 | 第55-57页 |
| 4.3 金属-半导体界面电压、电流基本方程 | 第57-58页 |
| 4.4 三种不同电流模式下接触电阻表达式及相互关系 | 第58-62页 |
| 4.4.1 单侧电流模式 | 第58-59页 |
| 4.4.2 双侧电流模式 | 第59-60页 |
| 4.4.3 穿越电流模式 | 第60-61页 |
| 4.4.4 端电阻表达式 | 第61页 |
| 4.4.5 四种电阻表达式的相互关系 | 第61-62页 |
| 4.4.6 Rc1、Rc2 之间的关系 | 第62页 |
| 4.5 接触电阻的不等间距传输（DSTLM）测量法 | 第62-64页 |
| 4.5.1 DSTLM 法模型与计算 | 第63页 |
| 4.5.2 DSTLM 测试法的测量结果及讨论 | 第63-64页 |
| 4.6 接触电阻的等间距传输线（SSTLM）测试法 | 第64-69页 |
| 4.6.1 SSTLM 法模型 | 第65页 |
| 4.6.2 SSTLM 法测试数据 | 第65-68页 |
| 4.6.3 SSTLM 法测试结果分析与讨论 | 第68-69页 |
| 4.6.4 SSTLM 法的应用 | 第69页 |
| 4.7 接触电阻的端电阻（ER）测试法 | 第69-71页 |
| 4.7.1 ER 简介 | 第69-70页 |
| 4.7.2 改进 ER 法 | 第70-71页 |
| 4.7.3 改进 ER 法的结果与讨论 | 第71页 |
| 4.8 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 主要结论 | 第73-74页 |
| 5.1.1 组件封装功率的研究 | 第73页 |
| 5.1.2 电池片功率损失的研究 | 第73页 |
| 5.1.3 电池片接触电阻的精确测试法 | 第73-74页 |
| 5.2 研究展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第79页 |
| 攻读硕士学位期间获得的与论文相关的专利 | 第79页 |
