| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 硅材料在半导体及光伏领域的应用 | 第12-17页 |
| 1.2 单晶硅生长理论 | 第17-21页 |
| 1.2.1 结晶驱动力 | 第18-19页 |
| 1.2.2 晶体生长系统的热平衡 | 第19页 |
| 1.2.3 晶体生长的固液界面形状 | 第19-20页 |
| 1.2.4 熔体流动现象 | 第20-21页 |
| 1.3 直拉单晶硅发展历史及现状 | 第21-24页 |
| 1.4 硅单晶生长数值模拟现状 | 第24-25页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 有限元模型和相关软件介绍 | 第27-39页 |
| 2.1 物理模型 | 第27-28页 |
| 2.2 数学模型 | 第28-34页 |
| 2.3 计算方法 | 第34-35页 |
| 2.4 FEMAG-CZ模拟仿真的流程 | 第35-38页 |
| 2.4.1 几何建模 | 第36页 |
| 2.4.2 网格划分 | 第36-37页 |
| 2.4.3 建立材料库 | 第37页 |
| 2.4.4 工艺参数设置 | 第37-38页 |
| 2.4.5 计算与结果后处理 | 第38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 水平磁场强度对直拉硅单晶生长过程影响 | 第39-51页 |
| 3.1 模拟方法和模拟条件 | 第40-41页 |
| 3.1.1 模拟方法 | 第40页 |
| 3.1.2 模拟工艺参数 | 第40-41页 |
| 3.2 模拟结果分析 | 第41-50页 |
| 3.2.1 水平磁场对晶体/熔体内温度场的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.2 水平磁场对固/液生长界面的影响 | 第45-47页 |
| 3.2.3 水平磁场对熔体流动的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.4 水平磁场对熔体/晶体氧含量传输的影响 | 第48-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 水平磁场下工艺参数对直拉硅单晶生长过程的影响 | 第51-65页 |
| 4.1 拉速对单晶生长过程的影响 | 第51-56页 |
| 4.1.1 拉速对温度场与流场分布的影响 | 第51-54页 |
| 4.1.2 拉速对固液生长界面的影响 | 第54-55页 |
| 4.1.3 拉速对固液界面V/G的影响 | 第55-56页 |
| 4.2 晶体转速对单晶生长的影响 | 第56-60页 |
| 4.2.1 晶体转速对熔体中温度场与流场分布的影响 | 第56-58页 |
| 4.2.2 晶体转速对固液界面形状的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.3 晶体转速对固液界面V/G的影响 | 第59-60页 |
| 4.3 坩埚转速对单晶生长的影响 | 第60-64页 |
| 4.3.1 坩埚转速对熔体中温度场与流场分布的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.2 坩埚转速对固液界面形状的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.3 坩埚转速对固液界面V/G的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 直拉法制备单晶硅的动态模拟 | 第65-77页 |
| 5.1 直拉单晶硅中的缺陷 | 第65-66页 |
| 5.2 仿真工艺与过程分析 | 第66-67页 |
| 5.3 动态模拟热场分析 | 第67-70页 |
| 5.3.1 拉速对温度场和流场的影响 | 第67-69页 |
| 5.3.2 拉速对固液界面形状的影响 | 第69-70页 |
| 5.4 拉速对点缺陷分布的影响 | 第70-76页 |
| 5.4.1 模拟结果 | 第70-73页 |
| 5.4.2 结果分析与讨论 | 第73-76页 |
| 5.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 结论 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 作者在攻读硕士期间公开发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
