| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 In_xAl_(1-x)N薄膜材料的研究概述 | 第10-12页 |
| 1.2.1 In_xAl_(1-x)N薄膜的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 In_xAl_(1-x)N薄膜的研究特色 | 第11-12页 |
| 1.3 In_xAl_(1-x)N薄膜材料的特性 | 第12-14页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 物理和化学性质 | 第13-14页 |
| 1.3.3 光学和电学性质 | 第14页 |
| 1.4 In_xAl_(1-x)N薄膜材料的应用 | 第14-16页 |
| 1.4.1 分布布拉格反射镜 | 第15页 |
| 1.4.2 发光二极管 | 第15页 |
| 1.4.3 紫外探测器 | 第15-16页 |
| 1.5 本文主要研究内容与章节安排 | 第16-19页 |
| 第二章 实验方案设计与样品表征方案 | 第19-27页 |
| 2.1 实验方案设计 | 第19-24页 |
| 2.1.1 实验方法的分析 | 第19-21页 |
| 2.1.2 实验中所用到的试剂与设备 | 第21-22页 |
| 2.1.3 衬底的选择 | 第22-23页 |
| 2.1.4 实验工艺流程 | 第23-24页 |
| 2.2 样品的表征和测试方案 | 第24-26页 |
| 2.2.1 In_xAl_(1-x)N的微观结构分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 In_xAl_(1-x)N的组分分析 | 第25页 |
| 2.2.3 In_xAl_(1-x)N的能带分析 | 第25-26页 |
| 2.2.4 In_xAl_(1-x)N的性能测试 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 InN和AlN薄膜的制备与表征 | 第27-49页 |
| 3.1 InN薄膜的制备与表征 | 第27-37页 |
| 3.1.1 InN薄膜的制备工艺条件设计 | 第27-28页 |
| 3.1.2 不同工艺参数下生长InN薄膜的分析 | 第28-36页 |
| 3.1.3 InN生长机理的探究 | 第36-37页 |
| 3.2 AlN薄膜的制备与表征 | 第37-47页 |
| 3.2.1 AlN薄膜的制备工艺设计 | 第37页 |
| 3.2.2 不同工艺参数下生长AlN薄膜的分析 | 第37-47页 |
| 3.2.3 AlN的生长机理探究 | 第47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 In_xAl_(1-x)N薄膜的制备与表征 | 第49-73页 |
| 4.1 不同工艺参数下生长In_xAl_(1-x)N薄膜的分析 | 第49-63页 |
| 4.1.1 衬底温度对In_xAl_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第49-54页 |
| 4.1.2 工作压强对In_xAl_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第54-59页 |
| 4.1.3 Ar和N_2流量比对In_xAl_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第59-63页 |
| 4.2 In_xAl_(1-x)N薄膜生长机理探究 | 第63-64页 |
| 4.3 In_xAl_(1-x)N薄膜的性能研究 | 第64-70页 |
| 4.3.1 In_xAl_(1-x)N薄膜的霍尔测试分析 | 第64-65页 |
| 4.3.2 In_xAl_(1-x)N薄膜的拉曼测试分析 | 第65-66页 |
| 4.3.3 In_xAl_(1-x)N薄膜的AFM测试分析 | 第66-67页 |
| 4.3.4 In_xAl_(1-x)N薄膜的禁带宽度分析 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 工作总结 | 第73-74页 |
| 5.2 工作展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
