| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 石墨烯及石墨带 | 第10-12页 |
| 1.3 类石墨烯和类石墨带结构 | 第12-13页 |
| 1.4 硒化镉（CdSe）纳米材料 | 第13-14页 |
| 1.5 低维硒化镉纳米材料的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.6 本论文的研究目的 | 第15页 |
| 1.7 本论文的主要内容和研究意义 | 第15-17页 |
| 第2章 第一性原理计算方法 | 第17-23页 |
| 2.1 多电子体系的薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 2.2 玻恩-奥本海默（Born-Oppenheimer）绝热近似 | 第18页 |
| 2.3 哈特利-福克（Hartree-Fock）近似 | 第18-19页 |
| 2.4 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.5 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 2.6 常用的交换关联函数 | 第21页 |
| 2.7 赝势 | 第21-23页 |
| 第3章 均匀应变对硒化镉纳米片的电子和光学性质的影响 | 第23-34页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 计算模拟方法 | 第24页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第24-33页 |
| 3.3.1 结构和电子特性 | 第24-29页 |
| 3.3.2 光学性质 | 第29-33页 |
| 3.4 小结 | 第33-34页 |
| 第4章 研究硒化镉纳米带的电学和磁学性质 | 第34-43页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 计算和模拟方法 | 第34-36页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第36-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-43页 |
| 第5章 研究CdSeNR受应变影响及其机械性能和稳定性 | 第43-53页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 计算模拟方法 | 第43-44页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第44-52页 |
| 5.4 小结 | 第52-53页 |
| 第6章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 总结 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 硕士期间研究成果 | 第61页 |
