| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 1 引言 | 第17-43页 |
| 1.1 碲镉汞材料的基本性质 | 第17-23页 |
| 1.1.1 碲镉汞材料的电学性质 | 第18-21页 |
| 1.1.2 碲镉汞材料的光学性质 | 第21页 |
| 1.1.3 碲镉汞材料中的产生和复合机制 | 第21-23页 |
| 1.2 碲镉汞光伏器件及其基本结构 | 第23-24页 |
| 1.3 本论文的研究背景 | 第24-25页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第25-40页 |
| 1.4.1 碲镉汞光伏器件暗电流的影响因素 | 第25-31页 |
| 1.4.2 碲镉汞光伏器件暗电流的研究方法 | 第31-34页 |
| 1.4.3 改善碲镉汞光伏器件暗电流的努力方向 | 第34-40页 |
| 1.5 本论文的研究目的和内容安排 | 第40-43页 |
| 2 碲镉汞光伏器件的暗电流机理及相关工艺讨论 | 第43-85页 |
| 2.1 光伏器件的暗电流机制 | 第43-52页 |
| 2.2 子像元结构的碲镉汞光伏器件工艺探索 | 第52-62页 |
| 2.3 光伏器件电极工艺中的金属－碲镉汞接触特性 | 第62-75页 |
| 2.4 光伏器件测试中背景辐射的影响 | 第75-83页 |
| 2.5 本章小结 | 第83-85页 |
| 3 碲镉汞材料表面抛光处理工艺及其对光伏器件暗电流特性的影响 | 第85-107页 |
| 3.1 碲镉汞材料的表面抛光工艺评价 | 第85-92页 |
| 3.2 不同表面减薄处理对碲镉汞材料界面电学特性的影响 | 第92-100页 |
| 3.3 不同表面减薄处理对碲镉汞光伏器件暗电流特性的影响 | 第100-106页 |
| 3.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 4 表面氢钝化对碲镉汞光伏器件暗电流特性的影响 | 第107-121页 |
| 4.1 碲镉汞光伏器件的n区氢钝化机理分析 | 第107-110页 |
| 4.2 碲镉汞光伏器件氢钝化效果的影响因素 | 第110-115页 |
| 4.3 碲镉汞光伏器件n区和p区的氢钝化机理分析 | 第115-119页 |
| 4.4 本章小结 | 第119-121页 |
| 5 γ 辐照对碲镉汞光伏器件暗电流特性的影响 | 第121-139页 |
| 5.1 半导体材料的辐照效应 | 第121-123页 |
| 5.1.1 电离效应 | 第121-122页 |
| 5.1.2 位移效应 | 第122页 |
| 5.1.3 表面和界面效应 | 第122页 |
| 5.1.4 γ 辐射与半导体材料间的相互作用 | 第122-123页 |
| 5.2 中波碲镉汞光伏器件的实时 γ 辐照效应 | 第123-134页 |
| 5.2.1 零偏和反向偏压下 γ 辐照对器件电学特性的影响 | 第125-128页 |
| 5.2.2 γ 辐照过程中器件零偏电流的变化分析 | 第128-131页 |
| 5.2.3 正向偏压下 γ 辐照对器件电学性能的影响 | 第131-132页 |
| 5.2.4 γ 辐照对器件串联电阻的影响 | 第132-134页 |
| 5.3 氢钝化对中波碲镉汞光伏器件 γ 辐照效应的影响 | 第134-138页 |
| 5.4 本章小结 | 第138-139页 |
| 6 近室温集成浸没透镜单元碲镉汞光伏器件的研制 | 第139-157页 |
| 6.1 HOT器件的工作机理与发展动态 | 第139-142页 |
| 6.2 集成浸没透镜单元碲镉汞光伏器件的设计 | 第142-146页 |
| 6.2.1 浸没透镜结构设计 | 第142-143页 |
| 6.2.2 芯片结构设计 | 第143-146页 |
| 6.3 集成浸没透镜单元碲镉汞光伏器件的制备 | 第146-149页 |
| 6.4 集成浸没透镜单元碲镉汞光伏器件的测试与评价 | 第149-155页 |
| 6.5 本章小结 | 第155-157页 |
| 7 全文总结与展望 | 第157-161页 |
| 7.1 全文总结 | 第157-159页 |
| 7.2 本论文的主要创新点 | 第159-160页 |
| 7.3 存在的问题与展望 | 第160-161页 |
| 参考文献 | 第161-169页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第169页 |
