| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 主要符号表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 MOF化合物的分类 | 第12-14页 |
| 1.3 MOF化合物的特点 | 第14-20页 |
| 1.3.1 配位结构的多样性 | 第16-17页 |
| 1.3.2 高比表面积和相对孔容积 | 第17-19页 |
| 1.3.3 孔结构的多样性 | 第19页 |
| 1.3.4 不饱和位点 | 第19-20页 |
| 1.4 MOF化合物的合成 | 第20-23页 |
| 1.5 MOF化合物的常规应用 | 第23-28页 |
| 1.5.1 气体吸附 | 第23-24页 |
| 1.5.2 分子分离 | 第24-25页 |
| 1.5.3 催化应用 | 第25页 |
| 1.5.4 传感应用 | 第25-26页 |
| 1.5.5 其他应用 | 第26-28页 |
| 1.6 MOF化合物的电化学应用 | 第28-34页 |
| 1.6.1 电化学析氢(HER) | 第28-30页 |
| 1.6.2 电化学传感(Sensor) | 第30-32页 |
| 1.6.3 氧还原反应(ORR) | 第32-33页 |
| 1.6.4 其他电化学应用 | 第33-34页 |
| 1.7 本论文的研究背景、内容与创新性 | 第34-36页 |
| 第二章 实验部分 | 第36-48页 |
| 2.1 主要仪器与试剂 | 第36-38页 |
| 2.1.1 主要仪器 | 第36-37页 |
| 2.1.2 主要试剂 | 第37-38页 |
| 2.2 材料物理表征手段及实验条件 | 第38-43页 |
| 2.2.1 X射线粉末衍射仪(XRD) | 第38页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第38-40页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第40-41页 |
| 2.2.4 热重分析仪(TGA) | 第41页 |
| 2.2.5 比氮表面物理吸附仪(BET) | 第41-42页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第42-43页 |
| 2.3 电化学测试技术及条件 | 第43-48页 |
| 2.3.1 电极的预处理和修饰 | 第43页 |
| 2.3.2 循环伏安测试(CV) | 第43页 |
| 2.3.3 线性伏安扫描测试(LSV) | 第43-44页 |
| 2.3.4 计时电流测试(Amperometric i-t) | 第44页 |
| 2.3.5 差分脉冲伏安测试(DPV) | 第44页 |
| 2.3.6 交流阻抗测试(EIS) | 第44页 |
| 2.3.7 旋转环盘测试(RRDE) | 第44-48页 |
| 第三章 溶剂热法制备HKUST-1 及其析氢性能研究 | 第48-60页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-51页 |
| 3.2.1 仪器和试剂 | 第49页 |
| 3.2.2 样品的合成 | 第49页 |
| 3.2.3 物理表征 | 第49-50页 |
| 3.2.4 电化学表征 | 第50-51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 快速合成ZIF-8 及其电化学检测多巴胺的研究 | 第60-76页 |
| 4.1 引言 | 第60-63页 |
| 4.2 实验部分 | 第63-65页 |
| 4.2.1 仪器和试剂 | 第63页 |
| 4.2.2 样品的合成 | 第63-64页 |
| 4.2.3 物理表征 | 第64页 |
| 4.2.4 电化学检测 | 第64-65页 |
| 4.3 讨论与结果 | 第65-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 ZIF-67 衍生物的制备及其氧还原性能研究 | 第76-90页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 实验部分 | 第77-79页 |
| 5.2.1 仪器和试剂 | 第77-78页 |
| 5.2.2 样品的合成 | 第78页 |
| 5.2.3 物理表征 | 第78页 |
| 5.2.4 电化学表征 | 第78-79页 |
| 5.3 讨论与结果 | 第79-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-94页 |
| 6.1 论文总结 | 第90-91页 |
| 6.2 研究展望 | 第91-94页 |
| 附录I | 第94-96页 |
| 附录II | 第96-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 科研成果 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
