| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 硅基发光材料的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 硅基发光材料研究进展 | 第10-15页 |
| 1.2.1 多孔硅 | 第10-12页 |
| 1.2.2 硅基量子低维发光材料 | 第12-13页 |
| 1.2.3 硅基稀土复合材料 | 第13-14页 |
| 1.2.4 硅基薄膜体系 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第15页 |
| 1.4 本文的研究思路与内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 本文的研究思路 | 第15-16页 |
| 1.4.2 本文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征 | 第17-29页 |
| 2.1 硅基发光薄膜的制备与工艺 | 第17-22页 |
| 2.1.1 制备薄膜的设备与工艺 | 第17-18页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备以及制备工艺 | 第18-19页 |
| 2.1.3 PECVD设备以及制备工艺 | 第19-21页 |
| 2.1.4 其他制备薄膜方法 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜性质的表征 | 第22-28页 |
| 2.2.1 薄膜性质表征的常用方法 | 第22页 |
| 2.2.2 荧光光谱 | 第22-23页 |
| 2.2.3 X射线电子能谱 | 第23-25页 |
| 2.2.4 傅里叶变换红外光谱 | 第25-27页 |
| 2.2.5 其他表征方法 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 氮掺杂SiO_xC_y薄膜发光性质的研究 | 第29-42页 |
| 3.1 氮掺杂掺杂型SiO_xC_y薄膜制备与表征 | 第29-31页 |
| 3.1.1 氮掺杂SiO_xC_y薄膜的制备工艺与流程 | 第29-30页 |
| 3.1.2 氮掺杂SiO_xC_y薄膜全波段光发射 | 第30-31页 |
| 3.2 氮掺杂SiO_xC_y薄膜的光致发光中心 | 第31-37页 |
| 3.2.1 氮掺杂SiO_xC_y薄膜的FTIR图谱 | 第31-33页 |
| 3.2.2 氮掺杂SiO_xC_y薄膜的XPS图谱 | 第33-35页 |
| 3.2.3 氮掺杂SiO_xC_y薄膜的全波段光发射机制 | 第35-36页 |
| 3.2.4 氮掺杂SiO_xC_y薄膜白光特性研究 | 第36-37页 |
| 3.3 碳掺杂SiO_xN_y薄膜相关发光性质的研究 | 第37-40页 |
| 3.3.1 碳掺杂SiO_xN_y薄膜的制备及工艺 | 第38页 |
| 3.3.2 碳掺杂SiO_xN_y薄膜的发光性质表征 | 第38-40页 |
| 3.3.3 碳掺杂SiO_xN_y薄膜的光致发光分析 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 铕掺杂SiO_xC_y薄膜发光性质研究 | 第42-48页 |
| 4.1 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的制备及工艺 | 第42页 |
| 4.2 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的光致发光性质 | 第42-47页 |
| 4.2.1 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的光致发光分析 | 第42-44页 |
| 4.2.2 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的化学组分分析 | 第44-45页 |
| 4.2.3 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的荧光衰减曲线 | 第45-46页 |
| 4.2.4 铕掺杂SiO_xC_y薄膜的能量转移机制 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 总结 | 第48-49页 |
| 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 硕士阶段科研成果 | 第61页 |
