静电感应晶体管抗辐射特性的研究与提高
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 论文研究的目的与意义 | 第10-11页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第11-13页 |
| 2 SIT基本作用理论 | 第13-24页 |
| 2.1 SIT器件结构 | 第13-15页 |
| 2.2 SIT的电流传输机制 | 第15-19页 |
| 2.3 光电作用机理 | 第19-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 SIT的版图设计与工艺制作 | 第24-38页 |
| 3.1 材料参数 | 第24-25页 |
| 3.1.1 沟道掺杂浓度 | 第24页 |
| 3.1.2 外延层厚度 | 第24页 |
| 3.1.3 晶向 | 第24-25页 |
| 3.1.4 衬底材料 | 第25页 |
| 3.2 结构参数 | 第25-29页 |
| 3.2.1 沟道厚度 | 第25-27页 |
| 3.2.2 沟道长度 | 第27页 |
| 3.2.3 沟道长厚比 | 第27-28页 |
| 3.2.4 沟道宽度 | 第28页 |
| 3.2.5 栅体厚度 | 第28-29页 |
| 3.3 版图设计 | 第29-36页 |
| 3.4 工艺流程 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 辐射对SIT的影响 | 第38-54页 |
| 4.1 辐射环境 | 第38-40页 |
| 4.1.1 空间辐射环境 | 第38-39页 |
| 4.1.2 人为辐射环境 | 第39-40页 |
| 4.2 辐射效应 | 第40-43页 |
| 4.2.1 总剂量效应 | 第41页 |
| 4.2.2 位移损伤效应 | 第41-42页 |
| 4.2.3 单粒子效应 | 第42-43页 |
| 4.3 辐射前SIT电流分析 | 第43-49页 |
| 4.4 辐射后SIT电流分析 | 第49-51页 |
| 4.5 辐射前后SIT的特性模拟 | 第51-53页 |
| 4.5.1 辐射前后SIT的沟道势垒模拟 | 第51-52页 |
| 4.5.2 辐射前后SIT的I-V特性模拟 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 辐射前后SIT的特性测试与分析 | 第54-72页 |
| 5.1 SIT的I-V特性 | 第55-60页 |
| 5.1.1 辐射前后SIT的I-V特性测试 | 第56-57页 |
| 5.1.2 辐射前SIT的I-V特性分析 | 第57-58页 |
| 5.1.3 辐射后SIT的I-V特性分析 | 第58-60页 |
| 5.2 SIT的栅源击穿特性 | 第60-63页 |
| 5.2.1 辐射前后SIT的栅源击穿特性测试 | 第60-61页 |
| 5.2.2 辐射前SIT的栅源击穿特性分析 | 第61-62页 |
| 5.2.3 辐射后SIT的栅源击穿特性分析 | 第62-63页 |
| 5.3 SIT的频率特性 | 第63-71页 |
| 5.3.1 辐射前后SIT的频率特性测试 | 第63-69页 |
| 5.3.2 辐射前SIT的频率特性分析 | 第69页 |
| 5.3.3 辐射后SIT的频率特性分析 | 第69-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第78页 |
