| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 In_2O_3的基本性质及研究背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 In_2O_3的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 In_2O_3的应用和研究背景 | 第11-14页 |
| 1.2 半导体材料的高压研究意义 | 第14-16页 |
| 1.2.1 高压电学研究意义 | 第14-15页 |
| 1.2.2 高压结构研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 论文选题目的和意义 | 第16-17页 |
| 1.4 论文各部分内容 | 第17-18页 |
| 第二章 高压实验装置与技术 | 第18-32页 |
| 2.1 高压实验装置 | 第18-22页 |
| 2.1.1 金刚石对顶砧 | 第18-19页 |
| 2.1.2 密封垫的选择及绝缘垫片制作 | 第19-21页 |
| 2.1.3 传压介质的选择与压力标定 | 第21-22页 |
| 2.2 金刚石对顶砧上电极的集成 | 第22-26页 |
| 2.2.1 电极的集成 | 第22-25页 |
| 2.2.2 样品填装 | 第25-26页 |
| 2.3 高压原位电学测量方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 van der Pauw法测量直流电阻率 | 第26-27页 |
| 2.3.2 高压霍尔效应测量方法 | 第27-29页 |
| 2.3.3 变温电阻率 | 第29-30页 |
| 2.4 高压同步辐射X光衍射 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 高压下In_2O_3的结构相变研究 | 第32-37页 |
| 3.1 样品In_2O_3的常压表征 | 第32-33页 |
| 3.1.1 常压下In_2O_3的XRD表征 | 第32-33页 |
| 3.1.2 In_2O_3的扫描电镜（SEM）分析 | 第33页 |
| 3.2 In_2O_3的高压同步辐射实验及结构分析 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 高压下In_2O_3的电输运性质研究 | 第37-48页 |
| 4.1 常温条件下In_2O_3高压直流电学性质研究 | 第37-40页 |
| 4.1.1 电极导电性能测试 | 第37-38页 |
| 4.1.2 In_2O_3的直流电阻率测量 | 第38-40页 |
| 4.2 In_2O_3的高压霍尔效应测量 | 第40-44页 |
| 4.2.1 In_2O_3原位高压霍尔效应测量与分析 | 第40-42页 |
| 4.2.2 霍尔效应测量中样品和电极的对称性情况 | 第42-44页 |
| 4.3 变温条件下In_2O_3的高压直流电阻率研究 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结和展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 作者简介 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
