| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-45页 |
| 1.1 信息存储简介 | 第10-21页 |
| 1.1.1 信息存储器 | 第10-18页 |
| 1.1.2 摩尔定律极限 | 第18-20页 |
| 1.1.3 冯·诺依曼瓶颈 | 第20-21页 |
| 1.2 多功能非易失性存储器 | 第21-29页 |
| 1.3 多物理场调控物性 | 第29-35页 |
| 1.3.1 磁电阻效应及多功能磁电子器件 | 第29-31页 |
| 1.3.2 多功能电阻式触觉传感与存储器 | 第31-32页 |
| 1.3.3 光调控电致阻变与光电存储器 | 第32-35页 |
| 1.4 光互联与光电多功能集成 | 第35-37页 |
| 1.5 本论文的研究内容和意义 | 第37-39页 |
| 1.6 参考文献 | 第39-45页 |
| 第二章 光脉冲对ITO/CeO_(2-x)/AlO_y/Al结构电阻的非易失性调控 | 第45-69页 |
| 2.1 引言 | 第45-46页 |
| 2.2 样品的制备和表征 | 第46-47页 |
| 2.3 ITO/CeO_(2-x)/AlO_y/Al结构的持续光电导 | 第47-52页 |
| 2.4 不同强度的持续光电导 | 第52-59页 |
| 2.5 不同光频率的持续光电导 | 第59-62页 |
| 2.6 多功能光电信息存储 | 第62-66页 |
| 2.7 本章小结 | 第66-67页 |
| 2.8 参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 基于ITO/CeO_(2-x)/AlO_y/Al结构的光电非易失性可重构逻辑门 | 第69-88页 |
| 3.1 引言 | 第69-71页 |
| 3.2 光脉冲和电压对ITO/CeO_(2-x)/AlO_y/Al结构电阻的调控 | 第71-76页 |
| 3.3 光电非易失可重构逻辑门 | 第76-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 3.5 参考文献 | 第86-88页 |
| 第四章 基于ITO/ZnO/NSTO结构的光电仿生神经突触 | 第88-110页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 样品的制备和表征 | 第89页 |
| 4.3 光脉冲和电压对ITO/ ZnO/ Nb: STO结构电阻的调控 | 第89-99页 |
| 4.3.1 ITO/ ZnO/ Nb: STO结构的电致阻变效应 | 第91-95页 |
| 4.3.2 ITO/ ZnO/ Nb: STO结构的持续光电导效应 | 第95-99页 |
| 4.4 光电非易失性可重构逻辑门 | 第99-104页 |
| 4.5 图像记忆与认知处理 | 第104-106页 |
| 4.6 本章小结 | 第106-108页 |
| 4.7 参考文献 | 第108-110页 |
| 第五章 总结与展望 | 第110-113页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第110-111页 |
| 5.2 展望 | 第111-113页 |
| 作者简历及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第113-117页 |
| 致谢 | 第117-121页 |
