| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-46页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 双电层晶体管简介 | 第15-25页 |
| 1.2.1 双电层晶体管概述 | 第15-17页 |
| 1.2.2 双电层晶体管基本工作原理 | 第17-20页 |
| 1.2.3 双电层晶体管的栅介质材料及其应用简介 | 第20-25页 |
| 1.3 神经形态器件概述 | 第25-43页 |
| 1.3.1 神经突触及突触行为简介 | 第25-29页 |
| 1.3.2 神经形态器件及神经形态工程应用简介 | 第29-43页 |
| 1.4 本论文的选题依据 | 第43-45页 |
| 1.5 本课题主要研究内容及章节安排 | 第45-46页 |
| 第二章 氧化物双电层晶体管的制备与表征 | 第46-66页 |
| 2.1 引言 | 第46页 |
| 2.2 实验材料和设备 | 第46-47页 |
| 2.3 基于纳米颗粒二氧化硅栅介质的双电层晶体管 | 第47-54页 |
| 2.3.1 纳米颗粒二氧化硅电解质膜的制备 | 第47-50页 |
| 2.3.2 纳米颗粒二氧化硅电解质膜的表征 | 第50-52页 |
| 2.3.3 纳米颗粒二氧化硅为栅介质双电层晶体管性能 | 第52-54页 |
| 2.4 基于新型栅介质材料的双电层晶体管 | 第54-64页 |
| 2.4.1 甲基纤维素为栅介质的双电层晶体管 | 第54-58页 |
| 2.4.2 氧化石墨为栅介质的双电层晶体管 | 第58-64页 |
| 2.5 本章总结 | 第64-66页 |
| 第三章 基于氧化物双电层晶体管的突触仿生应用 | 第66-86页 |
| 3.1 引言 | 第66-67页 |
| 3.2 实验材料和设备 | 第67页 |
| 3.3 突触短时程行为的模拟 | 第67-74页 |
| 3.3.1 突触后兴奋电流模拟与调控 | 第67-71页 |
| 3.3.2 双脉冲易化行为模拟 | 第71-73页 |
| 3.3.3 时空相关动态逻辑的模拟 | 第73-74页 |
| 3.4 突触长时程行为的模拟 | 第74-84页 |
| 3.4.1 依赖尖峰时序塑性（STDP）行为的模拟 | 第74-79页 |
| 3.4.2 记忆行为模拟 | 第79-81页 |
| 3.4.3 经典条件反射行为模拟 | 第81-84页 |
| 3.5 本章总结 | 第84-86页 |
| 第四章 基于氧化物双电层晶体管的神经形态计算应用 | 第86-106页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 实验材料和设备 | 第87页 |
| 4.3 非线性树突整合功能的实现 | 第87-96页 |
| 4.3.1 树突及树突整合功能简介 | 第87-89页 |
| 4.3.2 非线性树突整合功能的实现 | 第89-91页 |
| 4.3.3 树突整合功能的调控 | 第91-94页 |
| 4.3.4 基于树突整合的模拟逻辑功能 | 第94-96页 |
| 4.4 神经运算功能的实现 | 第96-100页 |
| 4.4.1 神经运算功能简介 | 第96-97页 |
| 4.4.2 神经运算功能的实现 | 第97-100页 |
| 4.5 视觉处理功能的实现 | 第100-105页 |
| 4.5.1 视觉处理功能的简介 | 第100页 |
| 4.5.2 方向调节功能的实现 | 第100-102页 |
| 4.5.3 躲避障碍功能的实现 | 第102-105页 |
| 4.6 本章总结 | 第105-106页 |
| 第五章 总结与展望 | 第106-109页 |
| 5.1 总结 | 第106-107页 |
| 5.2 展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-124页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文 | 第124-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |