摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
引言 | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 钙钛矿材料的基本性质 | 第12-16页 |
1.1.1 晶体结构 | 第12-13页 |
1.1.2 典型性能 | 第13-14页 |
1.1.3 内在缺陷 | 第14-15页 |
1.1.4 毒性和稳定性 | 第15-16页 |
1.2 钙钛矿薄膜的制备工艺简介 | 第16-19页 |
1.2.1 一步溶液沉积法 | 第16-17页 |
1.2.2 多步溶液沉积法 | 第17-18页 |
1.2.3 气相沉积 | 第18-19页 |
1.3 钙钛矿的应用 | 第19-26页 |
1.3.1 太阳能电池 | 第19-22页 |
1.3.2 发光二极管 | 第22-23页 |
1.3.3 激光 | 第23-24页 |
1.3.4 光电探测器 | 第24-26页 |
第二章 钙钛矿发光器件 | 第26-42页 |
2.1 钙钛矿发光器件的研究进展 | 第26-27页 |
2.2 ITO/PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbBr_3/PMMA(0,1,2,3 layer)/ZnO/In发光器件的制备 | 第27-30页 |
2.2.1 引言 | 第27页 |
2.2.2 发光器件的制备过程 | 第27-30页 |
2.3 材料与发光器件的性能表征与讨论 | 第30-42页 |
2.3.1 钙钛矿材料的表征 | 第30-36页 |
2.3.2 ITO/PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbBr_3/PMMA(0,1,2,3 layers)/ZnO/In器件性能讨论 | 第36-42页 |
第三章 电子传输层和空穴传输层对器件发光的影响 | 第42-50页 |
3.1 无电子传输层发光器件 | 第42-44页 |
3.1.1 电子传输材料 | 第42-43页 |
3.1.2 ITO/PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbBr_3/PMMA/In器件的性能研究 | 第43-44页 |
3.2 空穴注入层增强型发光器件 | 第44-50页 |
3.2.1 空穴注入材料 | 第45页 |
3.2.2 NiO的制备与表征 | 第45-48页 |
3.2.3 ITO/NiO/PEDOT:PSS/CH_3NH_3PbBr_3/PMMA/ZnO/In器件性能讨论 | 第48-50页 |
第四章 总结和展望 | 第50-52页 |
4.1 总结 | 第50-51页 |
4.2 展望 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
攻读硕士期间发表论文情况 | 第61页 |