| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-37页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·碲锌镉（CdZnTe）探测器 | 第13-18页 |
| ·核辐射探测器对材料的要求 | 第13-15页 |
| ·CdZnTe 室温核辐射探测器的优势 | 第15-17页 |
| ·CdZnTe 探测器的应用现状与发展趋势 | 第17-18页 |
| ·碲锌镉（CdZnTe）晶体 | 第18-20页 |
| ·CdZnTe 晶体的晶格结构 | 第18-19页 |
| ·CdZnTe 晶体的能带结构 | 第19-20页 |
| ·CdZnTe 晶体生长方法 | 第20-22页 |
| ·CdZnTe 晶体生长过程中的难点 | 第20-21页 |
| ·几种生长方法的比较 | 第21-22页 |
| ·CdZnTe 晶体中的深能级缺陷及其缺陷能级 | 第22-26页 |
| ·本征缺陷 | 第22-23页 |
| ·掺杂元素 | 第23-24页 |
| ·杂质 | 第24-26页 |
| ·CdZnTe 晶体的导电类型与电阻率 | 第26-30页 |
| ·电中性条件 | 第26-28页 |
| ·CdZnTe 晶体的高阻形成机理 | 第28-30页 |
| ·CdZnTe 晶体的载流子输运特性 | 第30-32页 |
| ·CdZnTe 探测器的光照动力学过程研究 | 第32-33页 |
| ·CdZnTe 探测器的辐照损伤研究 | 第33-35页 |
| ·核辐射与物质的相互作用 | 第33-34页 |
| ·辐照效应诱生缺陷的研究 | 第34-35页 |
| ·本文主要研究内容 | 第35-37页 |
| 第2章 实验方法 | 第37-57页 |
| ·CdZnTe 晶体样品的选择与处理 | 第37页 |
| ·扩展缺陷的表征 | 第37-41页 |
| ·白光 X 射线形貌术（WBXDT） | 第37-39页 |
| ·红外（IR）透射显微成像系统 | 第39-41页 |
| ·缺陷能级的表征 | 第41-45页 |
| ·热激电流谱（TSC）的测试原理 | 第41-42页 |
| ·热电效应谱（TEES）的测试原理 | 第42-43页 |
| ·TSC/TEES 技术的实验设备与样品制备 | 第43-44页 |
| ·TSC/TEES 技术的理论模型与结果分析 | 第44-45页 |
| ·CdZnTe 晶体光电性能的表征 | 第45-50页 |
| ·电流-电压（I-V）特性 | 第46-47页 |
| ·霍尔（Hall）测试技术 | 第47-48页 |
| ·光致发光（PL）技术 | 第48-49页 |
| ·飞行时间（TOF）技术 | 第49-50页 |
| ·CdZnTe 探测器能谱特性的表征 | 第50-57页 |
| ·CdZnTe 探测器的工作原理 | 第50-51页 |
| ·Shockley-Ramo 理论与 Hecht 方程 | 第51-53页 |
| ·能谱测试系统与γ射线谱峰分析 | 第53-57页 |
| 第3章 CdZnTe 晶体缺陷能级的量化描述 | 第57-77页 |
| ·TSC 实验技术表征 CdZnTe 晶体中的缺陷能级 | 第57-65页 |
| ·TSC 实验技术的动力学过程 | 第57-58页 |
| ·TSC 谱的解谱分析 | 第58-61页 |
| ·CdZnTe:In 晶体典型的缺陷能级分布特性 | 第61-65页 |
| ·TSC 测试过程的影响因素 | 第65-73页 |
| ·低温填充阶段的光照时间 | 第65-68页 |
| ·升温激发阶段红外光的引入 | 第68-71页 |
| ·入射光能量 | 第71-72页 |
| ·入射光强度 | 第72-73页 |
| ·TSC 实验过程中存在的问题 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第4章 CdZnTe 晶体生长条件对深能级缺陷的影响 | 第77-91页 |
| ·缺陷能级在生长态 CdZnTe 晶锭轴向上的分布规律 | 第77-82页 |
| ·Te 夹杂的轴向分布规律 | 第77-78页 |
| ·缺陷能级的轴向分布规律 | 第78-80页 |
| ·晶体电学性能的轴向分布规律 | 第80-82页 |
| ·不同晶体生长方法在 CdZnTe 晶体中引入的缺陷能级 | 第82-89页 |
| ·THM 法和 MVB 法的比较 | 第82-83页 |
| ·THM 法和 MVB 法生长的 CdZnTe 晶体中存在的主要的缺陷能级 | 第83-86页 |
| ·不同生长方法对晶体电学性能的影响 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第5章 深能级缺陷对材料特性与器件性能的影响 | 第91-109页 |
| ·缺陷能级对 CdZnTe 晶体导电类型的影响 | 第91-96页 |
| ·n 型 CdZnTe 晶体的缺陷能级 | 第91-93页 |
| ·p 型 CdZnTe 晶体的缺陷能级 | 第93-96页 |
| ·CdZnTe 晶体中的缺陷能级对载流子迁移率的影响 | 第96-103页 |
| ·高迁移率的 CdZnTe 晶体的缺陷能级 | 第96-98页 |
| ·低迁移率的 CdZnTe 晶体的缺陷能级 | 第98-100页 |
| ·CdZnTe 晶体中影响迁移率的主要散射机制 | 第100-103页 |
| ·CdZnTe 晶体中的缺陷能级对探测器性能的影响 | 第103-106页 |
| ·本章小结 | 第106-109页 |
| 第6章 CdZnTe 探测器的光照动力学过程研究 | 第109-121页 |
| ·亚禁带光照动力学过程 | 第109-117页 |
| ·亚禁带光照下载流子在缺陷能级上的光电跃迁过程 | 第109-112页 |
| ·亚禁带光照对 I-V 特性的影响 | 第112-115页 |
| ·亚禁带光照对能谱特性的影响 | 第115-117页 |
| ·可见光光照动力学过程 | 第117-120页 |
| ·可见光光照下载流子在缺陷能级上的光电跃迁过程 | 第117-118页 |
| ·可见光光照对 I-V 特性的影响 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 第7章 CdZnTe 探测器的辐照损伤研究 | 第121-135页 |
| ·高能高剂量γ射线对 CdZnTe 晶体的辐照损伤机理 | 第121-127页 |
| ·两种主要的辐照损伤机理 | 第121-122页 |
| ·高能高剂量γ射线与物质的相互作用 | 第122-124页 |
| ·高能高剂量γ射线与 CdZnTe 晶体的相互作用 | 第124-127页 |
| ·辐照损伤在 CdZnTe 晶体中引入的陷阱能级 | 第127-130页 |
| ·辐照损伤对 CdZnTe 晶体光电性能的影响 | 第130-133页 |
| ·辐照损伤对 CdZnTe 晶体电学性能和载流子输运特性的影响 | 第130-132页 |
| ·辐照损伤对 CdZnTe 晶体光学性能的影响 | 第132-133页 |
| ·辐照损伤对 CdZnTe 探测器能谱特性的影响 | 第133-134页 |
| ·本章小结 | 第134-135页 |
| 主要结论 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-149页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
