摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-18页 |
·研究的背景和意义 | 第12-14页 |
·论文的结构安排 | 第14-16页 |
参考文献 | 第16-18页 |
第二章 光纤通信系统中的WDM解复用光接收集成器件 | 第18-49页 |
·光电集成技术的发展及其在光纤通信系统中的应用 | 第18-22页 |
·WDM系统中的光波分解复用器 | 第22-27页 |
·TFF型解复用器 | 第23-24页 |
·AWG型解复用器 | 第24-25页 |
·FBG型解复用器 | 第25-27页 |
·WDM系统中的光探测器 | 第27-29页 |
·PIN光探测器 | 第27-28页 |
·APD光探测器 | 第28-29页 |
·MSM光探测器 | 第29页 |
·WDM解复用光接收集成器件 | 第29-33页 |
·光电集成器件中微结构的制备工艺研究进展和应用 | 第33-43页 |
·平面加工技术 | 第34-41页 |
·模型加工技术 | 第41-43页 |
·本章小结 | 第43-45页 |
参考文献 | 第45-49页 |
第三章 具有平顶陡边光谱响应的Si基长波长集成解复用光探测器 | 第49-69页 |
·Si基多腔级联介质膜滤波器的理论分析 | 第50-53页 |
·介质膜滤波器的结构设计 | 第50-51页 |
·介质膜滤波器透射谱的理论分析 | 第51-53页 |
·具有平顶陡边响应特性的Si基长波长集成解复用光探测器的理论分析 | 第53-57页 |
·器件的基本结构 | 第53页 |
·器件量子效率和频率响应的理论分析 | 第53-57页 |
·基于苯并环丁烯(BCB)树脂的晶片键合技术 | 第57-58页 |
·器件的外延生长和制备 | 第58-63页 |
·器件的外延生长 | 第58-60页 |
·器件的制备 | 第60-63页 |
·器件的测试和分析 | 第63-66页 |
·器件量子效率测试 | 第63-65页 |
·器件高速性能测试 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
第四章 基于特殊微结构的Si基长波长解复用光接收集成器件的研究 | 第69-93页 |
·基于垂直楔形吸收腔的Si基长波长解复用光接收器件 | 第70-81页 |
·器件的基本结构 | 第70页 |
·理论计算与特性分析 | 第70-74页 |
·器件的外延生长和制备 | 第74-79页 |
·器件的测试和分析 | 第79-81页 |
·基于锥形吸收腔的Si基长波长解复用光接收器件 | 第81-89页 |
·基本结构与理论仿真 | 第81-86页 |
·圆锥形微结构的制作工艺 | 第86-87页 |
·器件的外延生长与制备 | 第87-88页 |
·器件的测试和分析 | 第88-89页 |
·本章小结 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-93页 |
第五章 基于台阶形滤波腔的单片集成解复用光探测器的研究 | 第93-107页 |
·器件的基本结构及理论分析 | 第93-98页 |
·器件的基本结构 | 第93-94页 |
·器件的理论仿真 | 第94-98页 |
·台阶梯微结构的制备以及器件的外延生长与制备 | 第98-102页 |
·台阶梯制备工艺 | 第98-99页 |
·器件的外延生长和制备 | 第99-102页 |
·器件的测试 | 第102-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-107页 |
第六章 基于GaAs纳米线优化生长以及金属电极薄膜制备的镀膜工艺研究 | 第107-121页 |
·磁控溅射系统简介 | 第107-115页 |
·磁控溅射系统工作原理 | 第107-109页 |
·JGP450A9型磁控溅射系统操作要点 | 第109-115页 |
·基于JGP450A9型磁控溅射系统的GaAs纳米线实验研究 | 第115-116页 |
·生长实验方案的研究 | 第115-116页 |
·Au薄膜厚度的影响 | 第116页 |
·基于JGP450A9型磁控溅射系统的金属电极薄膜实验研究 | 第116-118页 |
·本章小结 | 第118-119页 |
参考文献 | 第119-121页 |
第七章 总结 | 第121-123页 |
符号说明 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-127页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第127-128页 |