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长波长WDM解复用光接收集成器件及其微结构制备工艺的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·研究的背景和意义第12-14页
   ·论文的结构安排第14-16页
 参考文献第16-18页
第二章 光纤通信系统中的WDM解复用光接收集成器件第18-49页
   ·光电集成技术的发展及其在光纤通信系统中的应用第18-22页
   ·WDM系统中的光波分解复用器第22-27页
     ·TFF型解复用器第23-24页
     ·AWG型解复用器第24-25页
     ·FBG型解复用器第25-27页
   ·WDM系统中的光探测器第27-29页
     ·PIN光探测器第27-28页
     ·APD光探测器第28-29页
     ·MSM光探测器第29页
   ·WDM解复用光接收集成器件第29-33页
   ·光电集成器件中微结构的制备工艺研究进展和应用第33-43页
     ·平面加工技术第34-41页
     ·模型加工技术第41-43页
   ·本章小结第43-45页
 参考文献第45-49页
第三章 具有平顶陡边光谱响应的Si基长波长集成解复用光探测器第49-69页
   ·Si基多腔级联介质膜滤波器的理论分析第50-53页
     ·介质膜滤波器的结构设计第50-51页
     ·介质膜滤波器透射谱的理论分析第51-53页
   ·具有平顶陡边响应特性的Si基长波长集成解复用光探测器的理论分析第53-57页
     ·器件的基本结构第53页
     ·器件量子效率和频率响应的理论分析第53-57页
   ·基于苯并环丁烯(BCB)树脂的晶片键合技术第57-58页
   ·器件的外延生长和制备第58-63页
     ·器件的外延生长第58-60页
     ·器件的制备第60-63页
   ·器件的测试和分析第63-66页
     ·器件量子效率测试第63-65页
     ·器件高速性能测试第65-66页
   ·本章小结第66-67页
 参考文献第67-69页
第四章 基于特殊微结构的Si基长波长解复用光接收集成器件的研究第69-93页
   ·基于垂直楔形吸收腔的Si基长波长解复用光接收器件第70-81页
     ·器件的基本结构第70页
     ·理论计算与特性分析第70-74页
     ·器件的外延生长和制备第74-79页
     ·器件的测试和分析第79-81页
   ·基于锥形吸收腔的Si基长波长解复用光接收器件第81-89页
     ·基本结构与理论仿真第81-86页
     ·圆锥形微结构的制作工艺第86-87页
     ·器件的外延生长与制备第87-88页
     ·器件的测试和分析第88-89页
   ·本章小结第89-91页
 参考文献第91-93页
第五章 基于台阶形滤波腔的单片集成解复用光探测器的研究第93-107页
   ·器件的基本结构及理论分析第93-98页
     ·器件的基本结构第93-94页
     ·器件的理论仿真第94-98页
   ·台阶梯微结构的制备以及器件的外延生长与制备第98-102页
     ·台阶梯制备工艺第98-99页
     ·器件的外延生长和制备第99-102页
   ·器件的测试第102-104页
   ·本章小结第104-105页
 参考文献第105-107页
第六章 基于GaAs纳米线优化生长以及金属电极薄膜制备的镀膜工艺研究第107-121页
   ·磁控溅射系统简介第107-115页
     ·磁控溅射系统工作原理第107-109页
     ·JGP450A9型磁控溅射系统操作要点第109-115页
   ·基于JGP450A9型磁控溅射系统的GaAs纳米线实验研究第115-116页
     ·生长实验方案的研究第115-116页
     ·Au薄膜厚度的影响第116页
   ·基于JGP450A9型磁控溅射系统的金属电极薄膜实验研究第116-118页
   ·本章小结第118-119页
 参考文献第119-121页
第七章 总结第121-123页
符号说明第123-125页
致谢第125-127页
攻读博士学位期间发表的学术论文和申请专利第127-128页

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