| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究工作背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展趋势 | 第12-17页 |
| 1.3 本论文的主要创新与贡献 | 第17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 MMIC功率放大器基础和Ga N HEMT工艺简介 | 第19-34页 |
| 2.1 功率放大器的分类 | 第19-21页 |
| 2.1.1 A类功率放大器 | 第19-20页 |
| 2.1.2 B类功率放大器 | 第20-21页 |
| 2.1.3 AB类功率放大器 | 第21页 |
| 2.2 MMIC功率放大器的性能指标 | 第21-23页 |
| 2.2.1 输出功率 | 第21-22页 |
| 2.2.2 功率增益 | 第22-23页 |
| 2.2.3 功率附加效率 | 第23页 |
| 2.3 放大器级联技术 | 第23页 |
| 2.4 GaN工艺简介 | 第23-33页 |
| 2.4.1 GaN工艺的有源器件 | 第24-25页 |
| 2.4.2 GaN工艺的无源器件 | 第25-33页 |
| 2.4.2.1 电阻 | 第25-27页 |
| 2.4.2.2 电容 | 第27-29页 |
| 2.4.2.3 电感 | 第29-30页 |
| 2.4.2.4 传输线 | 第30-32页 |
| 2.4.2.5 过孔 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 Ga N MMIC单级功率放大器 | 第34-49页 |
| 3.1 仿真环境介绍 | 第34-35页 |
| 3.2 单级功率放大器的设计 | 第35-48页 |
| 3.2.1 管芯的选择 | 第36页 |
| 3.2.2 静态工作点的选择 | 第36-37页 |
| 3.2.3 偏置电路的选择 | 第37-38页 |
| 3.2.4 稳定电路 | 第38-39页 |
| 3.2.5 确定最佳输入输出阻抗 | 第39-42页 |
| 3.2.6 匹配电路的设计 | 第42-46页 |
| 3.2.6.1 输出匹配电路 | 第43-45页 |
| 3.2.6.2 输入匹配电路 | 第45-46页 |
| 3.2.7 单级功放的整体仿真 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Ga N MMIC多级功率合成放大器 | 第49-73页 |
| 4.1 改进型功率分配网络 | 第49-52页 |
| 4.2 多级功率放大器设计 | 第52-69页 |
| 4.2.1 功率管的尺寸选择 | 第52-54页 |
| 4.2.2 整体方案的选定 | 第54-56页 |
| 4.2.3 输出级功率合成网络 | 第56-61页 |
| 4.2.4 级间匹配网络 | 第61-63页 |
| 4.2.5 输入级功率分配网络 | 第63-66页 |
| 4.2.6 整体电路仿真 | 第66-69页 |
| 4.3 多级功放的热分析 | 第69-71页 |
| 4.3.1 导热系数的计算 | 第69页 |
| 4.3.2 热阻的计算 | 第69-70页 |
| 4.3.3 热点温度的估算 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小节 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第73-74页 |
| 5.2 研究展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第79页 |