| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| ·简介 | 第15-16页 |
| ·VO_2薄膜的特性与相变机制 | 第16-20页 |
| ·VO_2薄膜的特性 | 第16-17页 |
| ·VO_2薄膜的结构与相变机理 | 第17-20页 |
| ·VO_2薄膜的应用研究 | 第20-22页 |
| ·红外探测器 | 第20-21页 |
| ·记忆材料 | 第21页 |
| ·光电开关 | 第21页 |
| ·激光防护 | 第21-22页 |
| ·智能窗材料 | 第22页 |
| ·课题背景、目的以及创新点 | 第22-23页 |
| ·课题的背景 | 第22-23页 |
| ·课题的目的与意义 | 第23页 |
| ·本论文的创新点 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征 | 第25-39页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第25-30页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第25-26页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第26-27页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第27页 |
| ·蒸发镀膜法 | 第27-28页 |
| ·溅射法 | 第28-30页 |
| ·磁控溅射原理 | 第30-31页 |
| ·实验设备与材料 | 第31-34页 |
| ·实验设备 | 第31-33页 |
| ·实验材料 | 第33-34页 |
| ·实验步骤 | 第34-35页 |
| ·基片制备与清洗 | 第34页 |
| ·薄膜制备 | 第34-35页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第35-38页 |
| ·电阻测试 | 第35-36页 |
| ·物相分析 | 第36页 |
| ·FT-IR 测试 | 第36页 |
| ·紫外-可见光分析 | 第36-37页 |
| ·AFM 分析 | 第37-38页 |
| ·膜基结合力的测试 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 VO_2单层薄膜的制备及性能影响 | 第39-57页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·热处理的影响 | 第39-48页 |
| ·退火气氛的影响 | 第39-42页 |
| ·退火温度的影响 | 第42-44页 |
| ·退火时间的影响 | 第44-47页 |
| ·退火对样品表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·气压的影响 | 第48-51页 |
| ·不同溅射气压下制备氧化钒薄膜的工艺参数 | 第49页 |
| ·气压对 VO_2薄膜电阻突变性能的影响 | 第49-51页 |
| ·基底的影响 | 第51-53页 |
| ·不同基底对薄膜电阻突变性能的影响 | 第52-53页 |
| ·不同基底上制备薄膜的 XRD 物相分析 | 第53页 |
| ·氧化钒薄膜的其他性能测试 | 第53-56页 |
| ·光学性能测试 | 第54-55页 |
| ·膜基结合力的测试 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 掺杂氧化钒薄膜的制备 | 第57-62页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·掺杂原理 | 第57-58页 |
| ·W-doped VO_2薄膜的制备及性能 | 第58-61页 |
| ·W-doped VO_2薄膜的电学性能测试 | 第59-60页 |
| ·W-doped VO_2薄膜的 XRD 物相分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 VO_2双层薄膜智能玻璃的制备和性能 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·TiO_2/VO_2双层薄膜的制备 | 第62-65页 |
| ·电学性能测试 | 第62-63页 |
| ·物相分析 | 第63-64页 |
| ·可见光透过率测试 | 第64页 |
| ·薄膜的膜基结合力测试 | 第64-65页 |
| ·TiO_2/W-doped VO_2薄膜智能玻璃的制备和性能 | 第65-67页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第65-66页 |
| ·红外光谱测试 | 第66页 |
| ·XRD 测试分析 | 第66-67页 |
| ·可见光透过率测试 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·总结 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76-77页 |