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基于NAND Flash的嵌入式图像记录技术

致谢第1-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-26页
   ·研究背景及意义第14页
   ·半导体存储与磁存储的对比第14-18页
     ·几种半导体存储技术的对比第16-18页
   ·国内外 NAND Flash 记录系统研究现状第18-22页
     ·国外研究现状第18-20页
     ·国内研究现状第20-22页
   ·基于 NAND Flash 设计记录系统难点第22-23页
   ·本文研究内容与章节安排第23-25页
   ·本章小结第25-26页
第2章 NAND Flash 物理底层驱动技术第26-40页
   ·引言第26页
   ·NAND Flash 内部组织结构第26-29页
   ·NAND Flash 物理底层驱动实现第29-38页
     ·读 ID第29-30页
     ·读数据第30-31页
     ·写数据第31-33页
     ·擦除数据第33-35页
     ·读状态第35-36页
     ·坏块扫描第36-38页
   ·本章小结第38-40页
第3章 NAND Flash 底层高速访问技术第40-56页
   ·引言第40页
   ·内部交叉和并行的物理基础第40-41页
   ·并行技术第41-42页
   ·流水线技术第42-47页
   ·片内并行写入第47页
   ·片内交叉写入第47-48页
   ·片内交叉并行写入第48页
   ·片内交叉写入片外 2 级流水第48-49页
   ·NAND Flash 底层访问架构第49-50页
     ·各访问方式下 NAND Flash 内数据组织结构第50页
   ·各访问方法实验结果及性能评估第50-53页
     ·实验条件第50-51页
     ·实验结果第51-52页
     ·性能评估及结论第52-53页
   ·本章小结第53-56页
第4章 中间转换层技术第56-74页
   ·引言第56-57页
   ·坏块管理关键技术第57-62页
     ·基于位索引的坏块信息快速检索结构第57-59页
     ·基于滑动窗口的无效块预匹配机制第59-60页
     ·滞后回写机制第60-61页
     ·地址映射第61-62页
   ·损耗均衡第62-63页
   ·错误纠错技术第63-68页
     ·汉明码原理简介第65页
     ·应用于 NAND Flash 的汉明码第65-68页
   ·中间层架构第68-70页
   ·实验结果与分析第70-72页
     ·实验条件第70页
     ·实验结果与分析第70-72页
   ·本章小结第72-74页
第5章 图像记录任务管理技术第74-88页
   ·引言第74页
   ·超高速图像记录任务管理设计基础第74-79页
     ·图像源特征第74页
     ·基于任务管理的高速内存缓存结构第74-79页
   ·任务管理方案第79-87页
     ·两级数据索引机制第79-82页
     ·记录信息表第82-84页
     ·图像记录区域表第84页
     ·空闲记录区域表第84-85页
     ·系统信息表第85页
     ·系统状态表第85-86页
     ·NAND Flash 阵列中数据结构第86-87页
   ·本章小结第87-88页
第6章 NAND Flash 图像记录性能测试系统第88-102页
   ·引言第88页
   ·性能测试遇到的问题第88-90页
   ·性能测试模型第90-92页
     ·基于指数回归的速度压力模型第90-91页
     ·峰值记录速度测试模型第91页
     ·基于对数正态分布的时长测试模型第91-92页
   ·压力控制器设计第92-95页
     ·数据率软件实时控制技术第92-93页
     ·数据实时检验技术第93-94页
     ·压力控制器结构第94-95页
   ·性能测试系统架构第95-96页
   ·实验结果与分析第96-99页
     ·实验条件第96页
     ·数据率调节性能第96-97页
     ·数据检验性能第97-98页
     ·NAND Flash 记录性能测试结果第98-99页
       ·初步可靠性测试结果第98-99页
       ·峰值记录速度测试结果第99页
     ·实验结果分析第99页
   ·本章小结第99-102页
第7章 嵌入式 NAND Flash 图像记录系统第102-146页
   ·引言第102页
   ·嵌入式 NAND Flash 记录系统设计方法第102-104页
     ·一体化 NAND Flash 记录系统设计方法第102-103页
     ·多模块 NAND Flash 记录系统设计方法第103-104页
   ·光电经纬仪 NAND Flash 图像记录系统第104-139页
     ·光电经纬仪简介第104页
     ·光电经纬仪信息处理平台改进方案第104-106页
     ·新方案下的图像记录系统第106-108页
     ·图像记录系统实现第108-139页
       ·器件选择第108-110页
       ·6U CPCIE PCB 记录板卡实现第110-116页
       ·光纤图像传输技术实现第116-122页
       ·PCIE 传输技术实现第122-129页
       ·高速 DDR2 缓存技术实现第129-132页
       ·千兆网高速数据传输技术实现第132-136页
       ·DVI 显示技术实现第136-137页
       ·性能测试总结第137-139页
   ·ATR 多模块 NAND Flash 图像记录系统第139-144页
     ·ATR 多模块 NAND Flash 图像记录系统设计方案第139-141页
     ·ATR NAND Flash 图像记录模块设计第141-144页
       ·器件选择第142页
       ·3U CPCIE NAND Flash 记录 PCB 实现第142-144页
   ·本章小结第144-146页
第8章 全文总结第146-150页
   ·本文主要研究内容及创新点第146-147页
   ·展望第147-150页
参考文献第150-156页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第156页

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