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在增益半导体中TDFWM-IL普适信号强度的理论研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·TDFWM-IL的研究背景第7-8页
   ·TDFWM-IL的研究意义第8-9页
   ·本文的研究工作第9-11页
第二章 半导体的增益特性及其载流子动力学特征第11-20页
   ·半导体增益特性第11-16页
   ·载流子-载流子散射引起偶极失相第16-18页
   ·载流子-纵波声子散射引起的能量弛豫第18-19页
   ·总结第19-20页
第三章 在增益半导体中简并TDFWM-IL信号强度特征第20-35页
   ·简并TDFWM-IL强度的一般理论第20-24页
   ·分析与讨论第24-28页
     ·宽带宽泵浦信号强度的解析形式第24-27页
     ·高载流子注入宽带宽泵浦信号强度解析形式第27-28页
   ·简并TDFWM-IL信号强度Monte-Carlo仿真与分析第28-34页
     ·Monte-Carlo仿真第28-30页
     ·简并TDFWM-IL公式与数值仿真比较第30-34页
     ·总结第34-35页
第四章 在增益半导体中非简并TDFWM-IL信号强度特征第35-46页
   ·非简并TDFWM-IL强度的一般理论第35-38页
   ·非简并TDFWM-IL分析与讨论第38-40页
     ·宽带宽泵非简并TDFWM-IL浦信号强度的解析形式第38-39页
     ·高载流子注入宽带宽泵浦信号强度解析形式第39-40页
   ·非简并TDFWM-IL信号强度Monte-Carlo仿真与分析第40-45页
     ·Monte-Carlo仿真第40-42页
     ·非简并TDFWM-IL解析式与数值仿真比较第42-45页
     ·总结第45-46页
第五章 结论第46-48页
致谢第48-49页
参考文献第49-51页

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