| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·一维硅纳米材料的研究现状 | 第10-11页 |
| ·一维硅纳米材料的制备方法 | 第11-14页 |
| ·激光烧蚀法 | 第12页 |
| ·物理刻蚀法 | 第12-13页 |
| ·电化学腐蚀法 | 第13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| ·金属辅助化学腐蚀 | 第14页 |
| ·硅纳米材料的性能 | 第14-16页 |
| ·硅纳米材料的场发射性能 | 第14-15页 |
| ·硅纳米材料的热传导性能 | 第15页 |
| ·硅纳米材料的电子输运特性 | 第15页 |
| ·硅纳米材料的光致发光(PL)特性 | 第15-16页 |
| ·硅纳米材料的应用 | 第16-17页 |
| ·微纳电子器件 | 第16页 |
| ·复合材料 | 第16页 |
| ·太阳能电池器件 | 第16页 |
| ·传感器 | 第16-17页 |
| ·金属辅助化学刻蚀的基本过程 | 第17-18页 |
| ·表面增强拉曼散射(SERS) | 第18-20页 |
| ·拉曼散射和表面增强拉曼散射(SERS) | 第18-19页 |
| ·SERS活性基底 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要工作及选题依据 | 第20-21页 |
| 2 硅纳米孔洞的制备及工艺参数的影响 | 第21-42页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·常规情况下硅纳米孔洞的生长研究 | 第22-33页 |
| ·常规情况下硅纳米孔洞的制备 | 第22页 |
| ·工艺参数对银纳米颗粒形貌的影响 | 第22-28页 |
| ·银纳米颗粒的形貌对硅纳米孔洞的影响 | 第28-29页 |
| ·工艺参数对硅纳米孔洞的影响 | 第29-33页 |
| ·离心作用下硅纳米孔洞的生长研究 | 第33-35页 |
| ·离心力作用下硅纳米孔洞的制备 | 第33-34页 |
| ·垂直于硅片表面的离心作用对硅纳米孔洞的影响 | 第34-35页 |
| ·不同方向的离心力对硅纳米孔洞生长方向的影响 | 第35页 |
| ·不同刻蚀液体积下硅纳米孔洞的生长研究 | 第35-41页 |
| ·不同刻蚀液体积下硅纳米孔洞的制备 | 第35-36页 |
| ·刻蚀液体积不同对硅纳米孔洞的影响 | 第36-39页 |
| ·不同刻蚀液体积下的刻蚀机理 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 3 硅纳米线的制备及工艺参数的影响 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·工艺参数对硅纳米线的影响 | 第42-48页 |
| ·电阻率对刻蚀硅纳米线的影响 | 第42-44页 |
| ·刻蚀时间对硅纳米线形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·氢氟酸(HF)浓度对硅纳米线的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 硅纳米线阵列结构和金属以及金属复合结构的复合材料的SERS效应 | 第49-60页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·银/硅纳米线阵列活性基底的制备及其SERS研究 | 第50-54页 |
| ·银/硅纳米线阵列(Ag/SiNWs)活性基底的制备 | 第50页 |
| ·不同浸渍时间对银/硅纳米线阵列(Ag/SiNWs)活性基底的影响 | 第50-54页 |
| ·金/硅纳米线阵列活性基底的制备及其SERS研究 | 第54-56页 |
| ·金/硅纳米线阵列(Au/SiNWs)活性基底的制备 | 第54页 |
| ·不同浓度的HAuCl_4对金/硅纳米线阵列(Au/SiNWs)活性基底的影响 | 第54-56页 |
| ·银-金/硅纳米线阵列活性基底的制备及其SERS研究 | 第56-59页 |
| ·银-金/硅纳米线阵列(Ag-Au/SiNWs)活性基底的制备 | 第56-57页 |
| ·不同浓度的HAuCl_4对银-金/硅纳米线阵列(Ag-Au/SiNWs)活性基底的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
